STFI28N60M2

当您的电源设计面临效率瓶颈，或是在追求更高功率密度时感到束手束脚，您是否渴望一颗能够同时兼顾高性能与可靠性的功率开关解决方案？答案或许就藏在STFI28N60M2这颗强大的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力的关键引擎，源自ST意法半导体备受赞誉的MDmesh II Plus技术平台，专为应对严苛的高压、高频应用挑战而生。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）乃至高功率LED照明驱动器中，稳定与高效是永恒的追求。STFI28N60M2凭借其高达600V的漏源电压和22A的连续漏极电流能力，为这些核心应用场景提供了坚实的保障。其极低的导通电阻（典型值）意味着更少的导通损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统整体效率，让您的设备在长时间满负荷运行时依然保持冷静与可靠。选择它，就是为您的电源系统注入了持久耐用的生命力。

为何众多工程师在关键设计中信赖这款产品？其背后的价值逻辑清晰而有力。首先，MDmesh II Plus技术带来了卓越的开关性能与导通电阻的完美平衡，36nC的低栅极电荷有助于降低开关损耗，实现更高频率的稳定运行，从而允许使用更小的磁性元件，有效节省空间与成本。其次，高达150°C的结温工作能力，赋予了设计更大的热安全余量，提升了系统在恶劣环境下的鲁棒性。最后，其通孔I2PAKFP封装确保了出色的散热性能和机械强度，非常适合需要高可靠性的工业级应用。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道，专业的ST芯片代理将是您获取这颗优质芯片、并获得完善技术支持的有力伙伴。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其在存量市场及特定升级项目中依然极具价值，是构建经典、高效功率架构的明智之选。

• 型号:STFI28N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 22A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• 现在可以订购STFI28N60M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您是否正在为提升开关电源的效率而寻找一颗更强大的“心脏”？STFI28N60M2正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh II Plus技术的N沟道MOSFET，集600V高压耐受与22A大电流驱动能力于一身，其核心使命就是让您的功率转换过程损耗更低、发热更少。它能够轻松应对高频开关的挑战，助您设计出更紧凑、更高效的电源模块。

具体而言，它极低的导通电阻（Rds(on)）直接减少了导通状态的能量浪费，而优化的栅极电荷（Qg）则显著降低了开关损耗。这意味着，无论是用于AC-DC电源、电机驱动还是PFC电路，STFI28N60M2都能让您的系统运行得更凉爽、更持久，最终实现整体能效的飞跃和产品可靠性的全面提升。