STFI4N62K3

在追求更高能效和更可靠电源设计的道路上，您是否曾为高压开关应用中的损耗和散热问题而困扰？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STFI4N62K3。这颗源自意法半导体SuperMESH3家族的功率MOSFET，以其620V的高耐压和仅为2欧姆的低导通电阻，为您的高压电路注入强劲而高效的动力。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统整体能效、降低热管理复杂度的关键钥匙，让能量转换过程更加顺畅、损耗更低。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器项目中，STFI4N62K3能够轻松应对高压环境下的频繁开关动作。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于提升开关频率、缩小磁性元件体积至关重要。无论是工业级的变频器，还是消费电子中的适配器，它都能确保系统在高效运行的同时，保持出色的稳定性和耐久性，工作结温高达150°C，从容应对严苛环境。

选择STFI4N62K3，就是选择了一份经过时间淬炼的可靠性与卓越性能的传承。虽然该型号目前已停产，但其卓越的设计和广泛的应用验证，使其成为特定存量项目升级或经典设计延续的绝佳选择。其通孔安装的I2PAKFP（TO-281）封装，提供了坚固的机械结构和优异的散热能力。为了确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行咨询与采购，他们能为您提供可靠的库存信息与完整的应用支持，让您的产品设计无后顾之忧。

• 型号:STFI4N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 620V 3.8A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 1.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:550 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• 现在可以订购STFI4N62K3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能兼顾高压耐受与高效开关的“心脏”吗？STFI4N62K3正是为您的高要求应用而生。这颗N沟道MOSFET拥有620V的漏源电压和3.8A的连续电流能力，核心优势在于其SuperMESH3技术带来的极低导通电阻（仅2欧姆@10V），能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它为您带来的远不止参数上的优势。优化的动态特性（如22nC的低栅极电荷）让开关速度更快，驱动更轻松，直接助力提升整体能效和功率密度。高达150°C的工作结温和25W的功率耗散能力，则赋予了它出色的可靠性与鲁棒性。选择它，就是为您的设计选择了一份经过验证的高性能与稳定保障。