STFI6N62K3

当您的电源设计面临效率瓶颈，或是在追求更紧凑、更可靠的功率转换方案时，是否曾思考过，一颗核心功率器件能带来多大的改变？今天，我们向您隆重介绍来自ST意法半导体SuperMESH3家族的明星产品STFI6N62K3。它不仅仅是一个620V耐压、5.5A电流能力的N沟道MOSFET，更是工程师应对中高功率挑战的得力助手，以其卓越的性能和稳定性，为您的产品注入强劲而高效的心脏。

想象一下，在开关电源、电机驱动、照明镇流器或工业逆变器的核心电路中，STFI6N62K3正悄然发挥着关键作用。它凭借SuperMESH3先进的沟槽技术，实现了极低的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的完美平衡。这意味着在频繁开关的工况下，它能显著降低导通损耗和开关损耗，让整个系统的效率跃升一个台阶，同时发热更少，运行更凉爽、更持久。无论是提升现有产品的能效等级，还是为新一代高密度设计铺平道路，它都能提供坚实的硬件基础。

选择STFI6N62K3，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与卓越性能的保障。其高达620V的漏源击穿电压，为应对电网波动和感性负载关断产生的电压尖峰提供了充裕的安全裕量，极大增强了系统的鲁棒性。通孔I2PAKFP（TO-281）封装不仅提供了优异的散热能力，确保在高达150°C结温下稳定工作，也便于在需要高可靠性的工业级应用中进行焊接和固定。虽然该型号已进入停产状态，但通过正规的ST代理渠道，您依然可以获取高质量的库存或替代方案支持，确保项目供应链的连续性与安全性。让这颗凝聚了ST尖端技术的功率器件，成为您打造高效、可靠、具竞争力产品的秘密武器。

• 型号:STFI6N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 620V 5.5A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:875 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• 现在可以订购STFI6N62K3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和易用性的中功率开关管吗？STFI6N62K3正是为您而来。这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有620V的高耐压和5.5A的连续电流能力，能轻松应对开关电源、电机控制等应用中的严苛电压和电流应力。

它的核心价值在于卓越的性能平衡：极低的1.2欧姆导通电阻（@10V Vgs）让导通损耗最小化，而优化的栅极电荷（仅34nC）则大幅降低了开关损耗。这意味着它能帮助您的系统实现更高的整体能效，运行更凉爽，寿命更长久。其坚固的I2PAKFP通孔封装确保了出色的散热性能和机械可靠性，让您在设计高功率密度或高环境温度的产品时信心十足。