STFU10N80K5

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，工程师们是否常常面临这样的困境：如何在严苛的高压环境下，既保证系统的稳定运行，又能有效控制功耗与发热？答案或许就藏在您对核心功率器件的选择上。今天，我们向您隆重介绍一款能够重新定义高压应用性能边界的利器STFU10N80K5。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh K5系列技术的集大成者，旨在将卓越的效率与坚固的可靠性，无缝融入您的下一个创新项目。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明系统中，STFU10N80K5正以其800V的卓越耐压能力和高达9A的连续电流，从容应对各种电压尖峰和负载波动。其核心秘密在于先进的MDmesh K5技术，这项技术显著优化了单元结构，将导通电阻（Rds(on)）在10V驱动下控制在极低的600毫欧水平。这意味着更低的传导损耗，直接转化为更少的能量浪费和更低的温升。无论是面对频繁开关的PFC电路，还是需要稳健输出的反激式拓扑，它都能让您的系统运行得更冷静、更持久。

选择STFU10N80K5，就是选择了一份从容与信心。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），大幅降低了开关损耗，让驱动电路设计更轻松，系统开关频率得以提升，从而可以使用更小体积的磁性元件，助力产品实现小型化。宽广的-55°C至150°C结温工作范围，确保了它在极端环境下依然稳定如一。当您通过值得信赖的ST授权代理获取这颗芯片时，您获得的不仅是一流的产品，更是从技术支援到稳定供应链的全方位保障。让STFU10N80K5成为您高性能设计的坚实基石，释放每一瓦电能的全部潜力。

• 型号:STFU10N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:635 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STFU10N80K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压应用中的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STFU10N80K5为您带来变革性的解决方案。这颗基于意法半导体尖端MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固耐压和9A的强大电流处理能力，其超低的600毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它卓越的开关特性，如低栅极电荷和输入电容，让您能够轻松设计出响应更迅捷、频率更高的驱动电路，从而优化整个系统的体积与性能。无论是面对工业环境的严酷考验，还是追求消费电子产品的极致能效，STFU10N80K5都能让您的设计脱颖而出，可靠地肩负起功率转换的核心重任。