STFW40N60M2

当您的下一个电源设计项目面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾设想过一颗功率器件能同时带来性能的飞跃与系统成本的优化？这正是STFW40N60M2为您呈现的价值核心。作为ST意法半导体MDmesh II Plus家族的明星成员，它不仅仅是一个600V/34A的N沟道MOSFET，更是您构建高效、紧凑、耐用电源系统的基石。其卓越的88毫欧超低导通电阻，意味着在相同电流下，它能将导通损耗大幅降低，让宝贵的电能更多地转化为有效输出，而非无谓的热量，直接为您的产品带来能效等级的提升和散热设计的简化。

这颗芯片的强大实力，在各类严苛的应用场景中展露无遗。无论是工业电机驱动中需要频繁启停和承受高浪涌电流，还是服务器电源、太阳能逆变器、UPS不间断电源中追求极致转换效率与功率密度，STFW40N60M2都能游刃有余。其ISOWATT-218FX封装不仅提供了出色的电气隔离和散热性能，更能帮助工程师在有限的空间内布局更高功率的电路。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在极端环境下依然稳定可靠，让您的设备从容应对全球市场的多样化需求。

选择STFW40N60M2，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它继承了ST在功率半导体领域数十年的技术积淀，MDmesh II Plus技术通过优化的单元结构，在开关速度、导通损耗和抗雪崩能力之间取得了完美平衡。这意味着您的设计不仅能获得更高的效率，还能拥有更强的鲁棒性，减少系统失效风险。对于寻求稳定供应和技术支持的开发者，通过官方授权的ST中国代理进行采购，无疑是获得正品保障和本地化服务支持的最佳途径。让STFW40N60M2成为您下一个成功产品的强大心脏，共同开启高效能源转换的新篇章。

• 型号:STFW40N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A ISOWATT
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:88 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:63W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
• 现在可以订购STFW40N60M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时提升效率、缩小体积并增强可靠性的高压MOSFET吗？STFW40N60M2正是为此而生。它基于先进的MDmesh II Plus技术，拥有600V的击穿电压和34A的连续电流能力，而其核心魅力在于仅88毫欧的超低导通电阻。这能让您的电源或电机驱动电路显著降低开关和导通损耗，轻松实现更高的能效目标，并减少散热需求。

此外，其优化的栅极电荷（仅57nC）和快速开关特性，让您能够使用更高频率的设计，从而减小变压器和滤波元件的尺寸，打造出更紧凑、更具成本竞争力的解决方案。无论是面对工业环境的严酷考验，还是追求消费级产品的精致小巧，STFW40N60M2都能提供卓越而稳定的性能表现，是您高效功率转换设计的理想选择。