STFW42N60M2-EP - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STFW42N60M2-EP技术参数详情：

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源转换系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗功率器件，不仅能承受600V的高压和34A的连续电流，更能将导通电阻控制在极低的87毫欧，这意味着什么？这意味着更少的能量以热的形式被浪费，意味着您的系统可以运行得更凉爽、更持久、更可靠。这正是STFW42N60M2-EP为您带来的核心价值它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升整机效率、迈向绿色能源未来的关键引擎。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断增长的新能源汽车充电桩和太阳能逆变器市场，对功率密度的要求都日益严苛。STFW42N60M2-EP凭借其卓越的MDmesh M2技术，完美应对这些挑战。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关行为，显著降低了开关损耗，让您的变频器或PFC电路工作在更高的频率成为可能，从而允许使用更小、更轻的磁性元件。从-55°C到150°C的宽广结温工作范围，配合其坚固的ISOWATT-218FX封装，赋予了它无与伦比的环境适应性和长期稳定性，即使面对严苛的工业环境或频繁的负载波动，也能稳如磐石。

选择STFW42N60M2-EP，就是选择了一份由尖端技术背书的高性能保障。它代表了意法半导体在高压功率MOSFET领域的深厚积淀，其低导通电阻与快速开关特性的精妙平衡，直接转化为系统级的效率提升和温升降低。这不仅能帮助您轻松满足日益严格的能效标准，更能简化您的热管理设计，降低整体系统成本。当您需要这样一颗能够担当重任的核心功率开关时，通过值得信赖的ST授权代理获取正品STFW42N60M2-EP，无疑是确保产品成功与供应链安全最明智的一步。让它成为您下一代高能效设计的强大心脏，释放无限潜能。

型号:STFW42N60M2-EP
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-3PF
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 34A ISOWATT
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:87 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:63W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-3PF
封装/外壳:TO-3P-3 整包
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还在为高压大电流应用的效率瓶颈寻找突破口吗？STFW42N60M2-EP正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh M2技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和34A的电流承载能力，其核心魅力在于极低的87毫欧导通电阻。这意味着它能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽，直接将电能更多地转化为有用功，而非令人头疼的热量。

更值得一提的是，其优化的开关特性（如仅55nC的栅极电荷）让开关过程又快又干净，有效削减了开关损耗，使您能够轻松提升工作频率，从而采用更小尺寸的被动元件，实现系统的小型化与轻量化。无论是面对工业环境的严酷考验，还是追求消费电子般的紧凑设计，STFW42N60M2-EP都能助您一臂之力，可靠地提升产品性能与市场竞争力。