STFW6N120K3 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STFW6N120K3技术参数详情：

当您的工业电源或电机驱动项目需要面对1200V高压环境的严苛挑战时，是否曾为寻找一颗兼具高耐压、低损耗与可靠性的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐意法半导体SuperMESH3家族的明星产品STFW6N120K3。这颗N沟道MOSFET以其卓越的1200V击穿电压和优化的动态特性，专为高效能、高可靠性的应用而生，是您攻克高压难题的得力武器。

想象一下，在工业开关电源(SMPS)的PFC或LLC拓扑中，在变频器、UPS不间断电源乃至电焊机的核心功率单元里，STFW6N120K3都能大显身手。其先进的SuperMESH3技术，在保持超低栅极电荷（Qg仅34nC）的同时，实现了优异的导通电阻特性。这意味着更快的开关速度、更低的开关损耗和导通损耗，直接转化为系统整体效率的显著提升和温升的有效控制。即使在-55°C至150°C的宽广结温范围内，它也能稳定工作，确保您的设备在极端环境下依然坚如磐石。

选择STFW6N120K3，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与长期可靠性。其ISOWATT-218FX封装不仅提供了出色的电气隔离和散热能力，通孔安装方式也兼顾了传统设计的便利性与牢固性。虽然该型号已进入停产状态，但通过我们这样可靠的ST一级代理，您依然可以获得稳定且有保障的供货渠道，以及专业的技术支持，让您的产品生命周期管理无后顾之忧。这不仅仅是一颗晶体管，更是您构建高效、耐用、具有市场竞争力的电力电子系统的坚实基石。

型号:STFW6N120K3
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-3PF
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 1200V 6A ISOWATT
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 欧姆 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1050 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:63W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-3PF
封装/外壳:TO-3P-3 整包
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还在为高压应用中的效率瓶颈和散热难题寻找解决方案吗？让意法半导体的STFW6N120K3来为您破局！这颗基于先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有高达1200V的漏源电压和6A的连续电流能力，专为要求严苛的高压开关场景设计。

它能为您做什么？核心在于其卓越的性能平衡：极低的栅极电荷（34nC）与优化的导通电阻相结合，让您轻松实现高速开关与低导通损耗，显著提升电源或电机驱动系统的整体效率。其坚固的ISOWATT封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），更能确保您的产品在各种环境下稳定可靠地长期运行，助您打造出更具市场竞争力的高效能设计。