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STGY80H65DFB
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：单路IGBT，MAX247
技术参数：IGBT 650V 120A 469W MAX247
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技术参数详情：
制造商产品型号：STGY80H65DFB制造商：ST意法半导体描述：IGBT 650V 120A 469W MAX247系列：-IGBT 类型：沟道和场截止电压 - 集射极击穿（最大值）：650V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：120ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：240A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2V @ 15V，80A功率 - 最大值：469WSwitching Energy：2.1mJ （开）， 1.5mJ （关）输入类型：标准Gate Charge：414nC25°C 时 Td（开/关）值：84ns/280nsTest Condition：400V， 80A， 10 欧姆， 15V反向恢复时间 (trr)：85ns封装/外壳：TO-247-3安装类型：通孔供应商器件封装：MAX247现在可以订购STGY80H65DFB，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
