STH110N10F7-2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STH110N10F7-2技术参数详情：

想象一下，您的下一代电源系统或电机驱动方案，能否在保持紧凑设计的同时，承载高达110A的连续电流？这正是STH110N10F7-2为您带来的核心价值。作为意法半导体STripFET VII与DeepGATE技术家族的杰出成员，这颗功率MOSFET不仅仅是一个开关，更是您实现高效能量转换、提升系统可靠性的关键引擎。它凭借极低的导通电阻和卓越的热性能，将功率损耗降至新低，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

无论是工业自动化中的伺服驱动器、不断电系统(UPS)的逆变模块，还是新能源车上的车载充电机(OBC)和DC-DC转换器，STH110N10F7-2都能游刃有余。其100V的漏源电压和高达175°C的结温工作范围，确保了在严苛环境下的稳定运行。表面贴装的H2PAK-2封装不仅优化了散热路径，更为PCB布局节省了宝贵空间，让高功率密度设计成为可能。当您需要构建一个高效、紧凑且可靠的功率级时，这颗芯片就是您值得信赖的基石。

选择STH110N10F7-2，意味着您选择了经过市场验证的STripFET VII技术，它带来了更低的栅极电荷和输入电容，显著降低了开关损耗，让系统整体效率再上一个台阶。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的应用验证，使其成为特定高可靠性项目或库存备货的优选方案。对于正在寻找成熟、高性能功率解决方案的工程师，通过与专业的ST中国代理合作，您依然可以获取关于这颗芯片的技术支持与供应链服务，确保您的项目平稳推进，无后顾之忧。

型号:STH110N10F7-2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:H2PAK-2
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N CH 100V 110A H2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 55A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5117 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:150W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:H2PAK-2
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在为功率转换效率的瓶颈而烦恼吗？让STH110N10F7-2来为您破局！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，集成了先进的STripFET VII技术，旨在让您轻松驾驭高达110A的电流与100V的电压。其核心魅力在于极低的导通电阻（典型值仅6.5mΩ），能显著减少导通损耗，直接将更多电能高效输送给负载，而非浪费在发热上。

这颗芯片能为您做什么？它让您在设计大电流开关电源、电机驱动或逆变器时，拥有一个更冷静、更高效的“心脏”。优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，配合H2PAK封装出色的散热能力，让系统在-55°C至175°C的宽广温度范围内稳定输出高达150W的功率。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的性能基石。