STH110N7F6-2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STH110N7F6-2技术参数详情：

想象一下，您的下一代电源系统或电机驱动方案，能否在保持强劲动力的同时，将能量损耗再降低一个量级？这正是STH110N7F6-2为您带来的核心价值。作为意法半导体STripFET F6系列中的明星产品，它不仅仅是一个参数表上的数字，更是您实现高效、紧凑、可靠设计的强大引擎。其卓越的68V耐压与高达80A的连续电流处理能力，为您的应用提供了坚实的功率基础，让您在应对严苛工况时充满信心。

无论是服务器和数据中心里要求严苛的DC-DC转换，还是工业自动化中驱动电机的脉宽调制，甚至是不断追求更长续航与更快充电的新能源汽车车载充电器，STH110N7F6-2都能游刃有余。它专为高功率密度和高效率场景而生，其极低的导通电阻（典型值）意味着在电流通过时产生的热量更少，这不仅提升了整体能效，也简化了您的散热设计，让系统运行更凉爽、更稳定。在追求绿色能源和极致能效的今天，选择这样一颗芯片，就是选择了更高的产品竞争力和更低的运营成本。

为什么众多工程师在同类产品中会青睐STH110N7F6-2？答案在于其背后STripFET F6技术的深厚积淀。这项技术优化了芯片的单元结构，在相同的硅片面积上实现了更优的Rds(on)与Qg（栅极电荷）平衡。更低的栅极电荷意味着开关速度可以更快，开关损耗更低，特别适合高频开关应用。而高达175°C的结温工作范围和坚固的H2PAK-2封装，则确保了其在恶劣环境下的长期可靠性。当您需要可靠的技术支持和本地化服务时，可以随时联系我们的ST中国代理，获取从选型到量产的全方位协助。选择STH110N7F6-2，不仅是选择了一颗高性能MOSFET，更是选择了一个值得信赖的合作伙伴，助您将创新的电源构想，快速、高效地转化为市场领先的产品。

制造商产品型号：STH110N7F6-2
制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
描述：MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：STripFET F6
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：68V
25°C时电流-连续漏极(Id)：80A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.3 毫欧 @ 55A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：100nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5850pF @ 25V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：176W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：H2Pak-2
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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？让STH110N7F6-2来为您解决！这颗来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，是您打造高效、高功率密度系统的秘密武器。它拥有68V的耐压和高达80A的电流承载能力，而其核心魅力在于极低的导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的设备运行更“冷静”，能效表现脱颖而出。

得益于先进的STripFET F6技术，它在提供强劲功率处理能力的同时，还优化了开关特性。这意味着您不仅可以轻松应对电机驱动、DC-DC转换器等应用中的大电流挑战，还能在高频开关电路中获得更快的响应速度和更低的开关损耗。其坚固的H2PAK-2封装和宽广的工作温度范围，更能确保您的设计在各种环境下稳定可靠，助您轻松提升产品性能与市场竞争力。