STH130N10F3-2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STH130N10F3-2技术参数详情：

在追求极致效率的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一款能在高频切换中保持冷静，在严苛环境下稳定输出的功率器件，将如何彻底改变您的电源设计。今天，我们为您带来的STH130N10F3-2，正是这样一款源自ST意法半导体尖端STripFET III技术的杰作，它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升系统能效与可靠性的强大引擎。

这颗N沟道MOSFET拥有100V的漏源电压和高达120A的连续漏极电流承载能力，这意味着它天生就是为高功率密度应用而生的。无论是服务器电源中要求严苛的DC-DC转换，还是工业电机驱动中需要快速响应的逆变环节，甚至是不断追求更长续航和更快充电的新能源汽车车载充电机(OBC)，STH130N10F3-2都能游刃有余。其表面贴装的H2PAK-2封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更优化了散热路径，让热量能够迅速导出，确保系统在-55°C至175°C的广阔结温范围内持续稳定工作。当您的设计面临高温挑战时，它依然能保持高性能输出。

选择STH130N10F3-2，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动电压、60A电流下，最大值仅为9.3毫欧。这个数字直接转化为更低的导通损耗，意味着更少的能量以热量的形式浪费掉，您的系统效率将得到显著提升。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速且干净的开关行为，进一步降低了开关损耗，让高频开关电源设计变得轻松而高效。虽然该型号目前已停产，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其在特定存量市场和升级项目中依然具有极高的价值。为确保您能获得可靠的正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行咨询与采购，他们能为您提供完整的供应链保障与资深的应用指导。让STH130N10F3-2的强悍性能，成为您产品在市场中脱颖而出的坚实基石。

型号:STH130N10F3-2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:H2PAK-2
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK-2
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.3 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3305 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:250W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:H2PAK-2
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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您正在寻找一颗能扛起高电流重任、同时保持超低损耗的功率开关吗？STH130N10F3-2正是您的理想之选。它基于ST先进的STripFET III技术打造，拥有100V/120A的强悍规格，其核心价值在于能将导通电阻（Rds(on)）控制在极低的9.3毫欧（@10V, 60A），这意味着它能大幅减少导通状态下的功率损耗，直接为您提升整个电源系统的效率，并有效缓解散热压力。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的高功率DC-DC转换器、电机驱动或电源逆变器运行得更凉爽、更高效。优化的栅极电荷设计确保了快速干净的开关性能，帮助您降低开关损耗，轻松实现更高频率的设计。其坚固的H2PAK-2封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C TJ），则赋予了它卓越的可靠性，让您的产品即使在严苛环境中也能稳定持久地工作。