STH130N8F7-2

在追求极致效率的电力转换世界，您是否还在为功率损耗和散热问题而妥协？想象一下，一款能在80V电压下承载110A连续电流，同时将导通电阻压降至仅5毫欧的功率器件，将如何彻底改变您的设计格局？这正是STH130N8F7-2带来的震撼体验。作为ST意法半导体STripFET F7系列的杰出代表，它不仅仅是一个MOSFET，更是您实现高功率密度与卓越热性能的终极钥匙。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是工业电机驱动里需要快速响应的桥式开关，甚至是不断演进的新能源汽车车载充电机(OBC)，STH130N8F7-2都能游刃有余。其H2PAK-2封装专为优化散热和功率循环能力而设计，确保在-55°C至175°C的广阔结温范围内稳定工作，将205W的功率耗散能力转化为系统可靠性的坚实基石。这意味着您的产品不仅能应对极端环境，更能以更小的体积释放更大的能量，在竞争中脱颖而出。

选择STH130N8F7-2，就是选择了一种经过市场验证的高效解决方案。它极低的栅极电荷（仅60nC）和输入电容，显著降低了开关损耗，让您的系统整体效率轻松攀升。当您需要可靠、高性能的功率开关时，这颗芯片提供的不仅仅是参数上的优势，更是产品成功上市的时间保障与性能信心。我们推荐的ST代理商，能够为您提供从技术选型到供应链支持的全方位服务，确保您能无缝集成这颗强大的“能量心脏”。别再让功率损耗限制您的创新，拥抱STH130N8F7-2，开启高效、紧凑、可靠的新一代电源与驱动设计之旅。

• 制造商产品型号：STH130N8F7-2
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 80V 110A H2PAK-2
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET F7
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：80V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：110A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 55A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：60nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4500pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：205W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：H2Pak-2
• 现在可以订购STH130N8F7-2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时驾驭高电流与低损耗的功率开关吗？STH130N8F7-2正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有80V的耐压和高达110A的连续电流处理能力，其核心魅力在于惊人的低导通电阻在10V驱动下仅5毫欧，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉、更高效。

得益于STripFET F7先进技术，它具备优异的开关特性（栅极电荷Qg仅60nC）和强大的散热能力（封装功耗205W）。这意味著您可以轻松提升系统功率密度，简化散热设计，并确保在严苛环境下的长期稳定性。无论是提升能效还是缩小体积，它都是您实现设计目标的得力助手。