STH140N8F7-2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STH140N8F7-2技术参数详情：

在追求极致效率的电力电子世界，您是否还在为功率转换系统的损耗与散热难题而困扰？当每一瓦特的浪费都意味着成本的增加和竞争力的削弱，选择一款真正高性能的功率MOSFET至关重要。现在，让我们向您介绍一个能彻底改变游戏规则的解决方案STH140N8F7-2。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其卓越的电气性能和坚固的物理特性，正成为工程师们构建下一代高效、紧凑型电源系统的秘密武器。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器中，电流高达90A，电压环境复杂多变。STH140N8F7-2正是为此类严苛应用而生。其80V的漏源电压和极低的4毫欧导通电阻（在45A，10V条件下），意味着在承载大电流时，导通损耗被降至极低水平，更多的电能被有效传输，而非转化为无用的热量。这不仅直接提升了系统整体效率，更能显著简化散热设计，让您的产品在性能与体积上取得完美平衡。无论是新能源车的车载充电器（OBC），还是不断电系统（UPS）和电焊机，它都能提供稳定可靠的功率开关支持。

为何众多领先企业将STH140N8F7-2作为首选？答案在于其背后强大的STripFET VII技术与DeepGATE结构。这项技术确保了芯片在提供超低Rds(on)的同时，依然拥有优异的开关特性和坚固性。高达200W的功率耗散能力和宽广的-55°C至175°C结温工作范围，赋予了它无与伦比的鲁棒性，足以应对各种恶劣环境与突发应力。选择它，就是选择了经久耐用的品质和长期稳定的运行。如果您正在寻找可靠的供应渠道，专业的ST代理商能为您提供完备的技术支持和供应链保障。其H2PAK-2表面贴装封装，也为自动化生产和高功率密度布局提供了便利，让您的产品从设计到量产都快人一步。立即采用STH140N8F7-2，释放您系统的全部潜能，将效率与可靠性推向新的高峰。

型号:STH140N8F7-2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:H2PAK-2
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 45A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:96 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6340 pF @ 40 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:200W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:H2PAK-2
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在寻找能同时驾驭高电流与高效率的功率开关吗？STH140N8F7-2正是您期待的答案。这颗采用先进STripFET VII技术的N沟道MOSFET，能在80V电压下持续输送高达90A的电流，而其核心魅力在于惊人的低导通电阻仅4毫欧。这意味着它能大幅降低您在开关电源、电机驱动等应用中的导通损耗，直接提升系统能效，让您的设备运行更凉爽、更节能。

它不仅仅参数亮眼，更致力于让您的设计工作变得轻松高效。优化的栅极电荷（Qg）特性有助于减少开关损耗，简化驱动电路设计。结合H2PAK-2封装出色的散热能力和高达200W的功率处理上限，它为您提供了坚实的可靠性保障，轻松应对高功率密度设计的挑战。选择STH140N8F7-2，就是为您的核心功率电路注入一颗强劲而高效的心脏。