STH160N4LF6-2

在追求极致效率的电力转换世界里，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一款能在高达120A的连续电流下，将导通电阻压降至仅2.2毫欧的功率开关，将如何彻底改变您的设计格局。现在，这一切由STH160N4LF6-2为您实现。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，不仅仅是参数的堆砌，更是性能与可靠性的代名词。它采用了先进的DeepGATE和STripFET VI技术，在40V的电压平台上，为您提供了前所未有的低损耗通道，让每一瓦特功率都得到更纯净、更高效的传输。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是电动工具、无人机电池管理系统里需要瞬间爆发大电流的负载开关，甚至是汽车辅助系统中的高效DC-DC转换，STH160N4LF6-2都能游刃有余。其宽广的-55°C至175°C结温工作范围，确保了它在极端环境下依然稳定如山，让您的产品无惧挑战。H2PAK-2封装不仅提供了优异的散热性能，其表面贴装设计也简化了生产流程，助力您快速将创意转化为可靠的产品。选择它，就是为您的核心动力单元选择了一位沉默而强大的守护者。

那么，为何在众多选择中，STH160N4LF6-2值得成为您的首选？答案在于它带来的综合价值提升。极低的Rds(on)直接意味着更少的导通损耗和发热，这不仅提升了系统整体效率，还能简化散热设计，可能为您节省空间和成本。快速的开关特性（由栅极电荷参数表征）有助于提高开关频率，从而允许使用更小、更轻的磁性元件。虽然该型号已停产，但其卓越的设计和性能在特定应用和库存支持下依然极具吸引力。对于需要此类高性能解决方案的工程师，通过值得信赖的ST中国代理获取原装正品和技术支持，是确保项目成功与供应链安全的关键一步。让STH160N4LF6-2成为您提升产品竞争力、赢得市场的秘密武器。

• 型号:STH160N4LF6-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.2 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:181 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8130 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STH160N4LF6-2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起大电流、实现高效功率切换的核心器件吗？STH160N4LF6-2正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有120A的强劲电流处理能力和低至2.2毫欧的导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

它基于ST先进的DeepGATE技术打造，确保在10V驱动电压下即可获得优异的导通性能。高达150W的功率耗散能力和宽广的工作温度范围，让您轻松应对高负荷与严苛环境挑战。选择它，就是为您的设计注入一颗强劲而可靠的“心脏”，轻松实现性能飞跃。