STH175N4F6-2AG

当您的下一代汽车电子系统需要兼顾极致效率与可靠性能时，您是否正在寻找一颗能够承载高功率、应对严苛环境的核心开关器件？答案或许就藏在STH175N4F6-2AG之中。这颗来自意法半导体STripFET F6家族的N沟道MOSFET，不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力的秘密武器。它拥有高达120A的连续漏极电流承载能力和低至2.4毫欧的导通电阻，这意味着在相同的功率下，它能显著降低能量损耗，将更多电能转化为有效输出，直接为您的系统带来更长的续航、更低的发热和更高的整体能效。

想象一下，在电动汽车的电机驱动、车载DC-DC转换器或是智能电池管理系统中，STH175N4F6-2AG能够游刃有余地处理大电流开关任务。其40V的漏源电压和符合AEC-Q101车规标准的品质，确保了它在发动机舱高温、频繁振动等恶劣条件下依然稳定可靠，为行车安全保驾护航。同时，高达175°C的结温工作范围，赋予了它超越常规器件的耐热潜力，让您的设计拥有更宽的安全裕度，从容应对各种突发工况。

为什么在众多选择中，STH175N4F6-2AG值得您重点关注？首先，其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于追求高频高效的现代电源设计至关重要，能帮助您轻松突破效率瓶颈。其次，H2PAK-2封装不仅提供了优异的散热性能，其紧凑的占板面积也顺应了电子产品小型化的趋势。虽然该型号目前已处于停产状态，但通过可靠的ST代理商渠道，您依然可以获取库存或找到完美的替代升级方案，确保项目供应链的连续性与安全性。选择它，就是选择了一份经过市场验证的性能承诺，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借卓越的能效和可靠性脱颖而出。

• 型号:STH175N4F6-2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7735 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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您是否正在为高电流开关应用中的效率损失和散热问题而烦恼？STH175N4F6-2AG正是为您而来的解决方案。这颗车规级N沟道MOSFET，凭借其120A的高电流处理能力和仅2.4毫欧的超低导通电阻，能显著降低功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效，直接将电能价值最大化。

它采用先进的STripFET F6技术，不仅开关速度快，而且栅极驱动简单。其坚固的H2PAK-2封装和-55°C至175°C的宽工作结温范围，确保它在汽车动力系统、工业电源等苛刻环境中稳定运行，让您轻松应对高可靠性的设计挑战。