STH180N10F3-2

当您的工业电机驱动系统需要同时兼顾高功率密度与卓越的可靠性时，您是否曾为寻找那颗“恰到好处”的功率开关而烦恼？现在，答案已经揭晓。来自ST意法半导体STripFET III家族的STH180N10F3-2，正是为应对严苛应用挑战而生的高性能N沟道MOSFET。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统效率、缩小产品体积、增强市场竞争力的关键引擎。

想象一下，在伺服驱动器、大功率DC-DC转换器或不间断电源（UPS）的核心电路中，电流的每一次高效通断都直接影响着整机的性能与能耗。STH180N10F3-2凭借其100V的漏源电压和高达180A的连续漏极电流承载能力，为这些高动态、大电流应用场景提供了坚实的硬件基础。其极低的4.5毫欧导通电阻（Rds(on)），意味着在相同的电流下，它能将导通损耗降至更低，让宝贵的电能更多地转化为有效输出，而非令人头疼的热量。这不仅提升了系统整体效率，也直接简化了散热设计，让您的产品结构更紧凑，运行更安静、更凉爽。

选择STH180N10F3-2，就是选择了一份从容与安心。其优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速、干净的开关动作，这对于高频开关应用至关重要，能有效降低开关损耗和电磁干扰（EMI），让您的设计更容易通过严格的行业认证。宽广的-55°C至175°C结温工作范围，赋予了它无与伦比的环境适应性，无论是酷热的车间还是严寒的户外，都能稳定如一地工作。其采用的H2PAK-2表面贴装封装，不仅提供了出色的散热性能和功率密度，也完全适应现代自动化生产流程，助力您实现高效、可靠的大规模制造。

在追求极致性能与可靠性的道路上，与可靠的伙伴同行至关重要。我们作为专业的ST芯片代理，不仅为您提供原装正品的STH180N10F3-2，更能提供全面的技术支持和供应链保障。从原型设计到批量生产，这颗凝聚ST尖端STripFET III技术的功率器件，将以其卓越的电气特性、坚固的耐用性和出色的热管理能力，成为您下一代高性能电源与电机驱动设计中无可争议的核心。立即采用它，您收获的将不仅是性能的飞跃，更是产品在市场上脱颖而出的强大自信。

• 型号:STH180N10F3-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:114.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6665 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STH180N10F3-2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为功率转换效率的瓶颈而困扰吗？让STH180N10F3-2为您开启高效节能的新篇章。这颗N沟道MOSFET是您实现大电流、低损耗控制的得力助手，其仅4.5毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通状态下的能量浪费，让您的电源或电机驱动系统运行得更“冷静”，整体能效轻松跃升。

它专为严苛应用而生，100V的耐压和180A的电流处理能力，让您在设计大功率工业设备、高端服务器电源或新能源车载充电器时底气十足。优化的开关特性帮助您实现更快的频率响应，同时其坚固的H2PAK-2封装和宽广的工作温度范围，确保了在各种环境下都能稳定可靠地工作，极大提升了您最终产品的耐用性和市场竞争力。