STH210N75F6-2

想象一下，在您设计的下一代高性能服务器电源或工业电机驱动中，功率转换的效率每提升0.5%，都意味着巨大的能耗节省和系统可靠性的飞跃。这正是STH210N75F6-2这颗功率器件所致力于实现的核心价值。它不仅仅是一个参数表上的组件，更是您构建高效、紧凑、可靠电力系统的基石。凭借其极低的2.8毫欧导通电阻，在高达180A的连续电流下，它能将导通损耗降至前所未有的低水平，让宝贵的电能更多地转化为有效输出，而非无谓的热量。

无论是面对数据中心里24小时不间断运行的苛刻电源，还是自动化产线上频繁启停的伺服驱动器，STH210N75F6-2都能游刃有余。其75V的耐压和高达300W的功率处理能力，为48V总线架构、DC-DC转换器以及各类电机控制应用提供了坚实的保障。H2PAK-2封装不仅优化了散热性能，确保在-55°C至175°C的广阔结温范围内稳定工作，其表面贴装设计也顺应了现代电子设备高密度集成的趋势，让您的PCB布局更加灵活高效。当您需要可靠的供应链支持时，专业的ST代理商能为您提供从选型到供应的全程服务。

选择STH210N75F6-2，意味着您选择了意法半导体DeepGATE和STripFET VI双重先进技术带来的卓越性能。极低的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）组合，显著降低了开关损耗，让系统能够在更高频率下运行，从而允许使用更小的磁性元件，最终实现系统体积与成本的双重优化。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计、经过市场验证的可靠性，以及在特定库存和替代方案规划中的价值，对于许多追求长期稳定和高性能的现有项目升级或备货而言，依然是一个极具吸引力的选择。它代表了一个时代的技术标杆，其设计理念至今仍在激励着更高效的能量转换解决方案。

• 型号:STH210N75F6-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:171 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STH210N75F6-2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的核心开关器件吗？STH210N75F6-2正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有惊人的180A连续电流处理能力和低至2.8毫欧的导通电阻，能显著降低您电源或电机驱动系统中的导通损耗，直接提升整体能效，让热量更少，输出更强。

它采用先进的DeepGATE技术，具备极低的栅极电荷，让开关动作又快又干净，轻松实现高频高效运行。高达300W的功率耗散能力和坚固的H2PAK-2封装，确保了它在严苛环境下的长期可靠性。选择它，就是为您的功率系统注入一颗高效而强劲的“心脏”。