STH240N10F7-6 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STH240N10F7-6技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换世界里，您是否还在为功率损耗和散热难题而妥协？想象一下，一款能在180A连续电流下，将导通电阻压低至惊人的2.5毫欧的功率开关，将为您的系统带来怎样的性能飞跃？这正是STH240N10F7-6为您呈现的现实。作为ST意法半导体STripFET F7家族的明星成员，它不仅仅是一个参数，更是高效、可靠与功率密度的代名词，专为挑战最严苛的应用而设计。

当您在设计新一代服务器电源、高端工业电机驱动或新能源车的车载充电器时，对功率器件的选择往往决定了整个系统的天花板。STH240N10F7-6凭借其100V的耐压和高达180A的电流处理能力，轻松驾驭这些高功率场景。其超低的Rds(on)意味着在导通状态下，电能几乎毫无阻碍地通过，将宝贵的能源更多地转化为有用功，而非令人头疼的热量。这不仅直接提升了系统效率，更能让您的散热设计变得更加简洁，节省空间与成本。选择它，就是为您的产品注入了强劲而冷静的“心脏”。

为什么顶尖的工程师纷纷将目光投向这款器件？答案在于其无与伦比的综合价值。极低的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，让开关速度更快，开关损耗显著降低，这对于高频开关应用至关重要，能让您的电源工作在更高频率，从而使用更小的磁性元件。宽广的-55°C至175°C结温工作范围，确保了它在极端环境下依然稳定可靠。其采用的H2PAK-6封装，提供了卓越的散热性能和功率密度，是表面贴装技术中的强者。当您需要将性能、效率与可靠性完美结合时，STH240N10F7-6提供了一个无需妥协的解决方案。如果您正在寻找值得信赖的合作伙伴来获取这款卓越的芯片，专业的ST芯片代理将是您可靠的供应链保障，助您将创新构想快速转化为市场领先的产品。

型号:STH240N10F7-6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:H2PAK-6
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11550 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:300W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:H2PAK-6
封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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还在寻找那颗能让您的电源设计脱胎换骨的“核心开关”吗？STH240N10F7-6正是您期待的答案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和高达180A的连续电流能力，其核心魅力在于低至2.5毫欧的导通电阻。这意味着它能为您大幅降低导通损耗，让电能转换更高效，系统运行更凉爽。

它能让您轻松应对服务器电源、电机驱动、DC-DC转换器等高压大电流场景的挑战。优异的开关特性（低栅极电荷）让您实现更高频率的开关操作，从而优化磁性元件尺寸，提升功率密度。选择它，就是选择了一条通往更高效率、更小体积和更强可靠性的设计捷径。