STH240N75F3-2

当您的下一代工业电源或电机驱动方案面临效率瓶颈时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高功率与低损耗的“心脏”？答案就在STH240N75F3-2。这颗源自ST意法半导体尖端STripFET III技术的功率MOSFET，以其卓越的性能重新定义了75V电压等级下的功率处理能力。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体能效、实现设计小型化与可靠性的关键引擎。

想象一下，在自动化产线上，伺服驱动器需要瞬间爆发出巨大扭矩；在数据中心，不间断电源（UPS）必须高效、安静地持续运转；或者在新能源领域，光伏逆变器正将每一缕阳光转化为清洁电能。在这些严苛的应用场景中，STH240N75F3-2都能大显身手。其高达180A的连续漏极电流和仅为3毫欧的超低导通电阻，意味着在传导过程中惊人的能量损耗被降至最低，热量产生更少，系统运行更凉爽、更稳定。这不仅直接降低了散热设计的复杂度和成本，更延长了终端设备的使用寿命，让您的产品在激烈的市场竞争中凭借卓越的可靠性和能效脱颖而出。

选择STH240N75F3-2，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。STripFET III技术确保了器件在开关速度和导通损耗之间达到完美平衡，87nC的低栅极电荷让开关控制更为迅捷高效，从而进一步提升系统频率和动态响应。其坚固的H2PAK-2封装专为高功率密度表面贴装而优化，提供了出色的热性能和功率循环能力。尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和久经考验的可靠性，使其成为许多经典或特定延续性项目的理想之选。为确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST代理进行咨询与采购，为您的成功增添一份保障。拥抱这颗强大的功率核心，释放您设计的全部潜能。

• 型号:STH240N75F3-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 75V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:87 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STH240N75F3-2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高功率应用中的发热和效率损失而烦恼吗？让STH240N75F3-2为您带来颠覆性的改变。这颗N沟道功率MOSFET拥有75V的耐压和高达180A的电流处理能力，而其核心魅力在于低至3毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源、电机驱动或逆变器系统运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的STripFET III技术，具备快速的开关特性和低栅极电荷，让您轻松实现更高频率的设计，同时优化系统动态响应。其坚固的H2PAK-2封装确保了出色的散热和功率循环可靠性，是构建高功率密度、高可靠性平台的理想基石。选择它，就是为您的产品注入了强劲而高效的动力核心。