STH250N55F3-6

在追求极致效率的电力转换世界，您是否曾为系统损耗而困扰？当电流高达180A，每一次微小的电阻都意味着能量的浪费与成本的攀升。现在，答案就在眼前STH250N55F3-6，这颗源自ST意法半导体STripFET III家族的N沟道功率MOSFET，正是为终结这种困扰而生。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统能效、释放性能潜力的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高密度DC-DC转换器中，电流如洪流般奔涌。传统的MOSFET可能在此刻成为瓶颈，产生不必要的热量，拖累整体表现。而STH250N55F3-6凭借其低至2.6毫欧的导通电阻，在60A、10V的严苛条件下，能将传导损耗降至极低水平。这意味着更少的能量转化为无用的热量，更多的功率被有效输送到负载端，直接转化为您的产品竞争力与用户价值。其高达300W的功率耗散能力与宽广的-55°C至175°C结温工作范围，确保了它在各种恶劣环境下依然稳定可靠，让您的设计无惧挑战。

选择STH250N55F3-6，就是选择了一份经过验证的卓越与安心。它代表了ST在功率半导体领域深厚的技术积淀，STripFET III技术确保了优异的开关性能与坚固性。虽然该型号目前已处于停产状态，但其卓越的性能指标使其在特定存量市场与对可靠性有极致要求的应用中依然极具价值。对于正在寻找高性能、高可靠性功率解决方案的工程师而言，通过与值得信赖的ST芯片代理合作，您依然可以获取这颗经典器件，为您的关键项目注入强劲动力。它不仅是电路中的一个元件，更是您实现高效、紧凑、可靠电源设计的坚实基石，帮助您在激烈的市场竞争中，凭借更优的能效和更稳定的表现脱颖而出。

• 型号:STH250N55F3-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• 现在可以订购STH250N55F3-6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的功率开关吗？STH250N55F3-6正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有55V的漏源电压和高达180A的连续漏极电流能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅2.6毫欧@60A,10V），能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的STripFET III技术，开关特性优异，栅极电荷管理出色。强大的300W功率处理能力和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），让它能轻松应对工业自动化、高端电源等领域的严苛要求。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能心脏。