STH265N6F6-2AG - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STH265N6F6-2AG技术参数详情：

在追求极致效率与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为寻找一颗能在严苛环境下稳定输出澎湃动力的开关器件而反复权衡？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越答案STH265N6F6-2AG。这颗源自意法半导体STripFET F6汽车级家族的N沟道MOSFET，以其高达180A的连续漏极电流和仅为2.1毫欧的超低导通电阻，重新定义了60V应用场景下的性能标杆。它不仅是一个组件，更是您提升系统整体能效、缩小体积并增强可靠性的关键引擎。

想象一下，在电动汽车的电机驱动器中，每一次精准的电流控制都关乎驾驶体验与续航里程；在工业伺服系统的核心，快速响应与低损耗直接决定了设备的精度与寿命；亦或是在高密度服务器电源模块内，高效的热管理是保障7x24小时不间断运行的基础。STH265N6F6-2AG正是为这些挑战而生的。其H2PAK-2封装专为高功率表面贴装设计，结合AEC-Q101车规认证，确保了从-55°C到175°C结温范围内的超凡稳定性。这意味着，无论是面对北方严寒还是引擎舱内的高温，它都能持续提供可靠的开关性能，让您的产品无惧环境考验，从容应对各种动态负载。

选择STH265N6F6-2AG，就是选择了一份经过千锤百炼的信任。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）显著降低了驱动损耗，让您的开关频率得以提升，从而可以使用更小的磁性元件，优化系统成本与尺寸。虽然该型号目前已停产，但其卓越的设计与性能在诸多成熟和高可靠性应用中依然具有不可替代的价值。对于仍有需求的客户，通过可靠的ST授权代理渠道，您依然可以获取经过严格质量控制的库存，确保您的生产与维护计划顺利进行。这不仅仅是一颗MOSFET的采购，更是一次为您的关键项目注入持久动力与信心的战略决策。

型号:STH265N6F6-2AG
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:H2PAK-2
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:183 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11800 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:300W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:H2PAK-2
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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您正在设计需要处理大电流、追求极致效率的电源或电机驱动方案吗？STH265N6F6-2AG正是您的理想之选。这颗60V/180A的N沟道功率MOSFET，凭借其惊人的2.1毫欧超低导通电阻，能大幅降低开关过程中的导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高，直接帮助您提升产品竞争力。

它采用坚固的H2PAK-2封装，并符合汽车级AEC-Q101标准，确保在-55°C至175°C的极端温度范围内稳定工作。无论是应对汽车引擎舱的震动高温，还是工业设备的连续重载，它都能提供可靠的性能。其优化的栅极特性让驱动设计更轻松，帮助您简化电路、加快开发速度，高效实现高功率密度与高可靠性的设计目标。