STH265N6F6-6AG

当您的下一代汽车电子或工业电源系统面临效率瓶颈时，是否曾设想过，一颗性能卓越的功率开关器件能带来怎样的变革？今天，我们向您隆重介绍STH265N6F6-6AG，这颗源自意法半导体STripFET F6家族的N沟道MOSFET，正是为突破极限、重塑高效能而生的杰作。它不仅仅是一个电子元件，更是您产品在激烈市场竞争中脱颖而出的核心引擎，以其超凡的180A连续漏极电流承载能力和低至2.1毫欧的导通电阻，为系统注入澎湃而精准的动力源泉。

想象一下，在电动汽车的电机驱动器中，每一次加速指令都需要功率模块以闪电般的速度响应；在服务器电源或工业变频器中，能量的高效转换直接关系到系统的稳定与成本。STH265N6F6-6AG凭借其高达60V的漏源电压和300W的功率耗散能力，正是为这些高要求、高可靠性的应用场景量身定制。其符合AEC-Q101汽车级标准，确保了即使在-55°C至175°C的严苛温度范围内也能稳定工作，为您的设计提供了穿越极端环境的信心保障。选择它，意味着为您的DC-DC转换器、电机控制单元或负载开关应用，选择了一位沉默而强大的“能量指挥官”。

那么，在众多功率器件中，为何STH265N6F6-6AG值得成为您的首选？答案在于它无与伦比的综合价值。极低的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这直接转化为系统整体效率的提升和热管理的简化。H2PAK-6封装不仅提供了优异的散热性能，其表面贴装形式也契合了现代自动化生产的需求。虽然该型号目前已停产，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其在特定存量项目或对性能有极致要求的设计中依然极具吸引力。要获取这颗经典器件的可靠供应与专业支持，请联系您信赖的ST芯片代理，他们能为您提供从选型到供应的完整解决方案，让您的创新之路畅通无阻。

• 型号:STH265N6F6-6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:183 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• 现在可以订购STH265N6F6-6AG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起大电流、实现高效电能转换的核心开关吗？STH265N6F6-6AG正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有180A的强大电流处理能力和仅2.1毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源模块或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的STripFET F6技术，确保在10V驱动电压下即可实现优异的性能。其坚固的H2PAK-6封装和宽达-55°C至175°C的工作结温范围，赋予了它应对汽车及工业严酷环境的卓越可靠性。选择它，就是为您的产品选择了经得起考验的动力基石。