STH270N4F3-6 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STH270N4F3-6技术参数详情：

在追求极致效率的电力电子世界，您是否还在为功率转换系统的损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个能够承载180A大电流却几乎不产生热量的开关器件，将如何彻底改变您的设计格局。今天，我们向您隆重介绍STH270N4F3-6，这颗来自ST意法半导体的高性能N沟道MOSFET，正是为解决这些核心挑战而生。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升系统能效、实现紧凑设计的强大引擎。

当我们将目光投向汽车电驱、高端服务器电源或工业电机驱动这些严苛的应用场景时，对功率器件的考验是全方位的。STH270N4F3-6凭借其卓越的基因，游刃有余。在电动汽车的DC-DC转换器中，它极低的1.7毫欧导通电阻意味着更少的能量以热的形式浪费，直接转化为更长的续航里程。在数据中心，面对24/7不间断运行的服务器电源，其高达300W的功率处理能力和175°C的结温工作上限，确保了系统在高温高负载下的绝对可靠与稳定。其符合AEC-Q101标准的汽车级品质，更是为安全至上的汽车应用提供了坚实的保障，让每一次加速、每一次能量回收都精准而高效。

选择STH270N4F3-6，就是选择了一种面向未来的设计哲学。它采用的先进STripFET III技术，在相同的硅片面积上实现了更优的电阻与电荷平衡，这不仅带来了惊人的功率密度，也让您的散热设计变得更加简单。HPAK封装专为大电流和高效散热优化，帮助您轻松应对空间限制。虽然该型号已进入停产周期，但其卓越的性能指标和广泛的市场验证，使其成为特定高端或存量项目升级的经典之选。为确保您能获得可靠的原装正品与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST代理商进行咨询与采购。让STH270N4F3-6成为您下一个明星产品的强大心脏，释放前所未有的性能潜力。

型号:STH270N4F3-6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:H2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.7 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7400 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:300W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:H2PAK
封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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您正在寻找一颗能扛起大电流、压得住损耗的功率开关吗？STH270N4F3-6正是为此而来。这颗40V/180A的N沟道MOSFET，核心使命就是让您的电源转换和电机驱动系统运行得更“冷静”、更高效。它惊人的1.7毫欧超低导通电阻，能大幅削减导通损耗，直接为您提升系统整体能效，同时减轻散热负担。

得益于STripFET III技术与坚固的HPAK封装，它不仅能轻松处理高达300W的功率，更能稳定工作在-55°C至175°C的严酷温度范围。无论是应对汽车引擎舱的剧烈温差，还是数据中心服务器的不间断负载，它都能提供汽车级（AEC-Q101）的可靠保障。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠且高效的动力核心。