STH270N8F7-2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STH270N8F7-2技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换世界里，您是否还在为功率损耗和散热难题而困扰？想象一下，一款能够同时驾驭180A大电流与80V高压，却将导通电阻降至惊人的2.1毫欧的功率器件，将如何彻底改变您的设计格局？答案就在STH270N8F7-2之中。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，不仅仅是参数的堆砌，它代表着功率密度与效率的一次革命性飞跃。其采用的DeepGATE与STripFET VII尖端技术，如同为电流开辟了一条超低阻力的高速公路，让每一瓦特功率都物尽其用，将无谓的发热与能量浪费降至最低，直接为您的终端产品带来更长的续航、更小的体积和更强的可靠性。

无论是面对电动汽车迅猛发展的OBC（车载充电器）和DC-DC转换器，还是数据中心里永不间断的服务器电源，亦或是工业自动化领域中那些需要强劲动力与精准控制的电机驱动，STH270N8F7-2都能游刃有余。它高达315W的功率处理能力和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，意味着它能在最严苛的环境下稳定输出，无畏挑战。当您的设计需要应对瞬间大电流冲击或持续高负载运行时，这颗芯片就是您最坚实的后盾，确保系统心脏强劲而平稳地跳动。

选择STH270N8F7-2，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的技术保障与未来验证。其极低的栅极电荷（193nC）与优化的开关特性，让您能够轻松设计出更高频率的拓扑结构，从而进一步缩小磁性元件的体积，降低整体系统成本。HPAK封装不仅提供了卓越的散热性能，其表面贴装形式也完全适配现代自动化生产流程。更重要的是，通过与值得信赖的ST一级代理合作，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，更能得到及时的技术支持与供应稳定性，让您的产品从研发到量产全程无忧。这不仅仅是一次元器件选型，更是一次为产品注入核心竞争力的战略决策。

型号:STH270N8F7-2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:H2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:193 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13600 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:315W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:H2PAK
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），变体
现在可以订购STH270N8F7-2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心引擎”吗？STH270N8F7-2正是为您而来的解决方案。它集ST意法半导体DeepGATE与STripFET VII技术之大成，以仅2.1毫欧的超低导通电阻，轻松驾驭180A连续电流与80V电压，显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统效率飙升，发热大幅减少。

这颗芯片能为您做什么？它让您在设计大功率转换器、电机控制器或工业电源时，拥有前所未有的从容。高达315W的功率处理能力和宽温工作范围，确保系统在严苛环境下依然稳定可靠。同时，优化的开关特性助力您实现更高频率的设计，从而缩小整体方案尺寸，降低成本。选择它，就是为您的产品选择了高效、紧凑与耐用的基因。