STH270N8F7-6

在追求极致效率的电力转换世界中，您是否还在为功率损耗和散热问题而妥协？想象一下，一个能同时承载180A大电流、却将导通电阻降至毫欧级别的解决方案，将如何彻底改变您的电源设计。STH270N8F7-6正是这样一颗划时代的功率MOSFET，它不仅仅是一个电子元件，更是您实现高效、紧凑、可靠设计的强大引擎。

这颗源自ST意法半导体尖端STripFET VII技术与DeepGATE工艺的杰作，在80V的电压平台上，展现了令人惊叹的性能。其低至2.1毫欧的导通电阻，意味着在相同的电流下，能量损耗被大幅削减，更多的电能被有效利用，而非转化为恼人的热量。这不仅直接提升了系统整体效率，更显著降低了散热设计的复杂度与成本。当您将它应用于服务器电源、高性能计算设备、工业电机驱动或新能源车载充电器时，它能轻松应对严苛的工况，在-55°C至175°C的广阔温度范围内稳定运行，确保您的产品在任何环境下都坚若磐石。

选择STH270N8F7-6，就是选择了一种面向未来的设计哲学。它采用先进的HPAK封装，在提供强大功率处理能力（高达315W）的同时，保持了优异的表面贴装兼容性，助力您实现更小体积、更高功率密度的产品。更低的栅极电荷和优化的开关特性，让驱动设计更为轻松，系统开关频率得以提升，从而允许使用更小的被动元件，进一步节省空间与成本。无论您是设计下一代数据中心电源，还是开发高可靠性的工业自动化设备，这颗芯片都能成为您电路中的“效能核心”，将ST意法半导体的卓越品质转化为您产品的市场竞争优势。如需获取样品或技术支持，我们的合作伙伴ST代理商将为您提供专业、及时的服务。

• 型号:STH270N8F7-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:193 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13600 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• 现在可以订购STH270N8F7-6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高功率应用中的效率瓶颈和散热挑战寻找答案吗？STH270N8F7-6 N沟道功率MOSFET就是为您而来的解决方案。它基于ST先进的STripFET VII技术，拥有80V的耐压和高达180A的连续电流承载能力，而其核心魅力在于极低的导通电阻（典型值仅2.1毫欧），能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片采用优化的DeepGATE工艺和HPAK封装，不仅提供了出色的热性能，更能让您轻松实现高功率密度设计。其优异的开关特性（低栅极电荷）简化了驱动电路设计，帮助您提升系统开关频率，从而缩小外围电感、电容的尺寸。无论是用于服务器电源、光伏逆变器，还是电动工具和汽车应用，STH270N8F7-6都能让您以更少的能耗和更紧凑的空间，释放出更强大的功率性能。