STH2N120K5-2AG

在追求极致能效与可靠性的高压应用领域，您是否还在为开关损耗和系统稳定性而烦恼？现在，答案已经揭晓。我们隆重推出STH2N120K5-2AG，这颗来自ST意法半导体的高性能N沟道MOSFET，正是为突破高压挑战而生的卓越解决方案。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计飞跃的关键引擎。

想象一下，在电动汽车的车载充电机（OBC）中，或者在工业级开关电源和光伏逆变器的核心电路里，稳定高效地处理高达1200V的电压是多么关键。STH2N120K5-2AG凭借其高达1200V的漏源电压（Vdss）和仅为5.3nC的低栅极电荷，能够实现极快的开关速度和极低的开关损耗。这意味着您的系统可以在更高的频率下运行，从而显著减小磁性元件的体积和重量，让整个电源设计更加紧凑、高效。其符合AEC-Q101汽车级标准的品质，确保了即使在-55°C至150°C的严苛温度范围内，也能提供持久稳定的性能，完美应对汽车电子和工业环境的各种挑战。

选择STH2N120K5-2AG，就是选择了一份安心与远见。它采用先进的H2PAK-2表面贴装封装，不仅提供了优异的散热性能，支持高达60W的功率耗散，还简化了您的PCB布局和组装流程。其10V的标准驱动电压和优化的导通特性，让驱动电路设计变得前所未有的简单，有效降低了系统的整体复杂性和成本。当您致力于打造更高效、更可靠、更具市场吸引力的下一代产品时，这颗芯片就是您最值得信赖的伙伴。如需获取官方正品、技术支持和快捷供货，请务必联系我们的ST中国代理，他们将为您提供全方位的专业服务。

从概念到量产，从性能到可靠，STH2N120K5-2AG承载着ST意法半导体的创新基因与品质承诺。它不仅仅满足了参数表上的指标，更旨在赋能您的创意，将复杂的电力转换难题转化为简洁优雅的设计。拥抱这颗高压利器，让我们一起，为绿色能源、智能出行和工业自动化注入更强劲、更高效的芯动力。

• 型号:STH2N120K5-2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:124 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STH2N120K5-2AG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在设计需要处理高压、高可靠性的电源或驱动系统吗？STH2N120K5-2AG正是为您而来的解决方案。这颗来自ST意法半导体的汽车级N沟道MOSFET，拥有1200V的耐压和仅5.3nC的低栅极电荷，能显著降低开关损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。

它能让您轻松应对电动汽车充电、工业电源等高压场景的挑战。其优异的导通特性和H2PAK-2封装带来的良好散热，确保了在高功率下的稳定表现。选择它，就是为您的产品选择了经AEC-Q101认证的可靠性和卓越性能，助您高效完成设计，快速推向市场。