STH300NH02L-6 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STH300NH02L-6技术参数详情：

在追求极致效率的汽车电子与工业电源领域，您是否还在为寻找一款能在严苛环境下稳定输出大电流、同时保持超低损耗的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来的STH300NH02L-6，正是意法半导体（STMicroelectronics）为应对这一挑战而精心打造的解决方案。它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升系统能效、确保可靠性的得力助手。

想象一下，在电动汽车的电机驱动单元或48V车载电源系统中，每一次开关动作都伴随着能量的转换与损耗。STH300NH02L-6凭借其N沟道设计和先进的STripFET III技术，将导通电阻（Rds(On)）降至惊人的1.2毫欧（@80A, 10V），这意味着在承载高达180A连续电流时，其自身的功耗被压至极低水平，更多的电能被高效地输送至负载，直接转化为系统的强劲动力或更长的续航里程。其高达300W的功率耗散能力，配合宽广的-55°C至175°C结温工作范围，确保了即使在发动机舱内的高温震动环境或寒带地区的低温启动场景下，性能依然坚如磐石。

这款芯片的价值远不止于参数表上的数字。它专为汽车级（Automotive, AEC-Q101）应用而生，从设计之初就贯穿着对可靠性与耐久性的极致追求。HPAK封装不仅提供了优异的散热性能，其表面贴装形式也适应了现代高密度PCB板的设计潮流。无论是用于DC-DC转换器中的同步整流，还是作为负载开关控制大电流通断，STH300NH02L-6都能让您的产品在竞争中脱颖而出更低的温升意味着更高的系统可靠性，更小的能量损失直接带来更优的能效表现和更低的运营成本。选择它，就是选择了一份经过市场验证的稳定与高效。我们作为专业的ST一级代理，不仅能为您提供正品保障与有竞争力的价格，更能提供深度的技术支持和供应链服务，助您将这款强大芯片的潜力完全释放。

型号:STH300NH02L-6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:H2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 24V 180A H2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:24 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:109 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7050 pF @ 15 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:300W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:H2PAK
封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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您正在设计需要处理庞大电流的汽车电源或工业控制系统吗？STH300NH02L-6正是为您而来的高性能N沟道MOSFET。它能让您轻松驾驭高达180A的连续电流，而其核心魅力在于超低的1.2毫欧导通电阻，这能显著减少开关过程中的功率损耗，直接提升整个系统的能源利用效率，让您的设备运行更“冷静”、更持久。

这颗芯片基于意法半导体成熟的STripFET III技术打造，并满足严苛的汽车级AEC-Q101标准。它采用散热性能优异的HPAK封装，确保在-55°C到175°C的极端温度范围内稳定工作。无论是用于高效的同步整流，还是作为关键的大电流负载开关，它都能提供快速、可靠的响应，让您的产品在可靠性和性能上建立起决定性的优势。