STH310N10F7-6

在追求极致效率的电力转换世界，您是否还在为功率损耗和散热难题而妥协？当电流高达180A，每一毫欧的导通电阻都意味着显著的能源浪费和热量堆积。现在，让我们向您介绍一个颠覆性的解决方案STH310N10F7-6。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其仅为2.5毫欧的超低导通电阻，重新定义了100V电压等级下的性能标杆，让您的系统在高效与可靠之间无需再做选择。

想象一下，在服务器电源、高性能计算设备或工业电机驱动的核心位置，能量如洪流般通过。STH310N10F7-6凭借其STripFET VII与DeepGATE技术的完美融合，如同为电流开辟了一条超低阻力的高速公路。它不仅轻松承载180A的连续电流，更能将导通损耗降至前所未有的低水平，直接转化为更低的温升和更高的整体能效。这意味着您的数据中心可以更冷静地运行，您的电动工具能爆发更持久的动力，您的太阳能逆变器可以实现更多的能量收获。无论是面对严苛的工业环境还是追求静音紧凑的消费电子设计，它都能游刃有余。

选择STH310N10F7-6，就是选择了一份面向未来的投资。其H2PAK-6封装不仅提供了卓越的散热能力，支持高达315W的功率耗散，更确保了在-55°C至175°C的广阔结温范围内稳定工作。极低的栅极电荷（180nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的开关电源设计轻松迈向更高频率，从而缩小磁性元件体积，降低成本。当您需要可靠的原厂正品与专业的技术支持时，请务必通过官方授权的ST代理商进行采购，这是保障产品长期稳定性和项目成功的关键一步。让STH310N10F7-6成为您下一代高功率密度设计的核心引擎，释放全部潜能。

• 型号:STH310N10F7-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:180 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• 现在可以订购STH310N10F7-6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找那颗能同时驾驭高电流与高效率的“心脏”吗？STH310N10F7-6正是为您的高要求应用而生。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和惊人的180A连续电流处理能力，而其核心魅力在于低至2.5毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源模块或电机驱动系统运行得更凉快、更节能。

它集成了ST先进的STripFET VII和DeepGATE技术，不仅开关性能优异，而且采用散热能力出众的H2PAK-6封装。这意味着您可以轻松应对高功率密度设计挑战，在服务器、能源基础设施、高端电动工具等应用中实现更紧凑、更可靠的解决方案。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重基因。