STH400N4F6-2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STH400N4F6-2技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的汽车电子世界，您是否还在为寻找一款能在严苛环境下稳定输出强大功率的开关器件而困扰？想象一下，一个能轻松驾驭180A连续电流、在高达175°C结温下依然坚如磐石的解决方案，将如何彻底改变您的电源管理或电机驱动设计？答案，就蕴藏在STH400N4F6-2这颗性能猛兽之中。

作为ST意法半导体Automotive系列中的明星产品，它生而不凡。其核心采用了先进的DeepGATE与STripFET VI技术，这不仅仅是名称的堆砌，而是意味着更低的导通损耗和更卓越的开关性能。1.15毫欧的超低导通电阻（@60A, 10V），直接转化为更少的热量产生和更高的系统效率，让每一分电能都物尽其用。高达300W的功率耗散能力，配合H2PAK-2封装出色的散热特性，确保了即使在最密集的功率循环中也能保持冷静与稳定。这正是为应对汽车环境中振动、高温和高可靠性要求而量身打造的杰作。

它的舞台远不止于传统的引擎控制单元。在蓬勃发展的48V轻混系统（MHEV）中，它是DC-DC转换器和电池管理系统的理想心脏，高效管理能量流动。在电动助力转向（EPS）和电动泵驱动中，其强大的电流处理能力和快速开关特性，确保了精准、迅捷的扭矩响应。即便是对空间和散热要求极高的车载充电机（OBC）和逆变器，STH400N4F6-2也能以紧凑的尺寸提供令人放心的功率密度。从-55°C到175°C的广阔工作温度范围，让它能够从容应对从冰天雪地到引擎舱高温的极端挑战，保障车辆全生命周期的可靠运行。

选择STH400N4F6-2，就是选择为您的产品注入一份源自顶级汽车级品质的自信。它不仅仅是一个MOSFET，更是一个经过AEC-Q101认证的可靠性承诺。虽然该型号已处于停产状态，但其卓越的设计和久经考验的性能，使其在存量市场和特定高可靠性项目中依然拥有不可替代的价值。要获取这类经典且高性能的器件，与一个可靠的ST一级代理合作至关重要，他们能为您提供正品保障、稳定的库存支持以及专业的技术洞察，帮助您将这颗芯片的潜力转化为产品的最终竞争力。让STH400N4F6-2成为您设计中那个沉默却强大的基石，驱动创新，赢在未来。

型号:STH400N4F6-2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:H2PAK-2
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:404 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:20500 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:300W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:H2PAK-2
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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您正在设计需要处理数百安培电流的汽车级电源或电机驱动方案吗？STH400N4F6-2正是为您而来的强大引擎。这颗N沟道MOSFET拥有40V的漏源电压和高达180A的连续电流承载能力，其核心价值在于惊人的高效能仅1.15毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更节能。

它采用先进的STripFET VI和DeepGATE技术，结合H2PAK-2封装，不仅提供了优异的散热性能，更能实现快速、干净的开关动作，让您轻松优化电磁兼容性（EMI）。无论是用于48V混动系统的DC-DC转换、电动助力转向，还是其他严苛的汽车电子应用，它都能在-55°C至175°C的极端温度范围内稳定工作，提供汽车级（AEC-Q101）的可靠保障。选择它，就是为您的产品选择了强劲、高效且值得信赖的动力核心。