STH400N4F6-6

当您的下一代汽车电子系统需要同时兼顾极致的功率密度与可靠性能时，什么样的功率器件才能满足这看似矛盾的需求？答案就蕴藏在STH400N4F6-6这颗卓越的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个开关，更是您实现高效能量转换、提升系统整体能效的基石。凭借其极低的导通电阻和卓越的热性能，它能将功率损耗降至最低，让宝贵的电能更多地转化为驱动力量，而非无谓的热量。

想象一下，在严苛的汽车引擎盖下，无论是负责电机驱动的逆变器、管理能源分配的DC-DC转换器，还是为48V轻混系统提供支持的功率模块，STH400N4F6-6都能游刃有余。它专为汽车级应用打造，符合AEC-Q101标准，能够在-55°C至175°C的广阔结温范围内稳定工作，从容应对车辆启动时的低温冲击与高负载下的持续高温。其H2PAK-6封装不仅提供了优异的散热能力，确保300W的功率耗散，更通过优化的引脚布局，简化了您的PCB设计，让高功率密度布局变得前所未有的轻松。

选择STH400N4F6-6，意味着您选择了经过市场验证的卓越性能与长期可靠性。它集成了ST意法半导体先进的DeepGATE和STripFET VI技术，在40V的电压平台上实现了仅1.15毫欧的超低导通电阻，配合180A的连续漏极电流能力，能够显著降低导通损耗，提升系统效率。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其成为特定高可靠性、长生命周期项目或库存备选的绝佳之选。要获取这颗经典器件的可靠供应与专业的技术支持，请联系您信赖的ST芯片代理，他们将为您提供从选型到供应的全程保障，确保您的设计无后顾之忧。

• 型号:STH400N4F6-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:404 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:20500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• 现在可以订购STH400N4F6-6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您是否正在寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的功率开关？STH400N4F6-6正是为您的高效能源转换系统量身打造。它拥有高达180A的连续电流处理能力和低至1.15毫欧的导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电机驱动、电源转换或电池管理系统运行得更凉爽、更高效。

这颗采用先进STripFET VI技术的N沟道MOSFET，具备40V的耐压和优异的开关特性。其H2PAK-6封装确保了出色的散热性能，轻松应对高达300W的功率耗散。无论是面对汽车环境的温度挑战，还是追求极致的功率密度，它都能让您的设计更加稳健可靠，助您轻松攻克能效瓶颈。