STH410N4F7-6AG

在追求极致能效的电力电子世界里，您是否还在为高功率密度与低损耗之间的平衡而烦恼？现在，答案已经揭晓。我们隆重推出STH410N4F7-6AG，这颗来自ST意法半导体的高性能N沟道MOSFET，正是为打破瓶颈、重塑标准而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力的核心引擎，以其卓越的电气性能和坚固的可靠性，为您的设计注入澎湃动力。

想象一下，在电动汽车的电机驱动器中，每一次精准的电流控制都关乎着续航与性能；在工业伺服系统的核心，高效的能量转换直接决定了设备的响应速度与稳定性。这正是STH410N4F7-6AG大展身手的舞台。它高达200A的连续漏极电流和仅1.1毫欧的超低导通电阻，意味着在承载大电流时，能量损耗被降至极低，热量产生显著减少。这不仅直接提升了系统整体效率，更能让您的散热设计更为简化，帮助您打造出更紧凑、更可靠、续航更持久的终端产品。其宽广的-55°C至175°C工作结温范围，配合AEC-Q101车规级认证，确保了即使在最严苛的汽车引擎舱或户外工业环境中，它也能稳定运行，无畏挑战。

选择STH410N4F7-6AG，就是选择了一份面向未来的保障。它采用了先进的STripFET F7技术，在开关速度和导通损耗之间取得了完美平衡，141nC的栅极电荷优化了驱动设计，让开关过程更加干净利落。高达365W的功率耗散能力，为您应对功率峰值提供了充足余量。无论是用于DC-DC转换器、电机控制，还是电池管理系统，这颗芯片都能成为您电路中最值得信赖的“开关”。我们作为值得信赖的ST一级代理，不仅为您提供原装正品，更能带来专业的技术支持和灵活的供应链服务，确保您的创新想法能够快速、顺利地转化为市场领先的产品。现在就拥抱STH410N4F7-6AG，开启高效、可靠的电能控制新篇章。

• 型号:STH410N4F7-6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:141 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:365W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• 现在可以订购STH410N4F7-6AG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找那颗能同时驾驭高电流与高效率的“心脏”吗？STH410N4F7-6AG正是您的理想之选。这颗车规级N沟道MOSFET，凭借其惊人的200A电流能力和低至1.1毫欧的导通电阻，能显著降低您系统中的导通损耗，让电能转换更加高效，直接帮助您提升产品性能并优化热管理设计。

它采用H2PAK-6封装和先进的STripFET F7技术，不仅功率密度高，更能实现优异的开关特性。宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）和AEC-Q101认证，让它能从容应对汽车、工业等严苛环境。选择它，就是为您的电机驱动、电源转换或电池保护电路，注入了一颗强劲而可靠的动力核心。