STH80N10F7-2

在追求极致能效的电力电子世界里，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个关键功率开关，能在高频切换中保持冷静，将更多能量精准输送到负载，而不是浪费在发热上这正是STH80N10F7-2为您带来的核心价值。作为ST意法半导体DeepGATE与STripFET VII技术的杰出代表，这颗N沟道功率MOSFET不仅仅是一个组件，它是您提升系统整体性能、迈向更高可靠性的强大引擎。

当您面对电机驱动、工业电源转换或高功率DC-DC变换器等严苛应用时，STH80N10F7-2的卓越特性便展露无遗。其100V的漏源电压和高达80A的连续漏极电流，为处理大功率任务提供了坚实的保障。更令人印象深刻的是，在10V驱动电压下，其导通电阻低至9.5毫欧，这意味着在40A的大电流通过时，产生的导通损耗微乎其微。更低的损耗直接转化为更少的热量、更小的散热器需求以及更高的系统效率，让您的设备在长时间满负荷运行时依然稳定如初。其极低的栅极电荷（仅45nC）和优化的输入电容，确保了快速、干净的开关特性，显著降低了开关损耗，特别适合高频开关电源和变频驱动应用，让您的设计在效率和响应速度上双双领先。

选择STH80N10F7-2，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的承诺。它采用先进的H2PAK-2封装，不仅提供了优异的散热性能，其表面贴装形式也完美契合现代自动化生产的需求。从-55°C到175°C的宽广结温工作范围，赋予了它应对极端环境挑战的非凡能力，无论是寒冷的户外设备还是高温的机柜内部，都能游刃有余。虽然该型号目前已处于停产状态，但通过可靠的ST授权代理渠道，您依然可以获得经过严格质量把控的原装正品，为现有产品的维护升级或特定项目需求提供关键支持。这颗凝聚了ST尖端工艺的功率器件，将以其高效、可靠、强劲的表现，成为您构建下一代高性能电力电子系统的信心之选。

• 型号:STH80N10F7-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STH80N10F7-2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找那颗能扛起大电流、实现高效开关的“核心动力”吗？STH80N10F7-2正是为您而来的解决方案。它是一款N沟道功率MOSFET，拥有100V耐压和80A的强大电流处理能力，其核心使命就是让您的大功率应用无论是电机驱动、电源转换还是负载开关运行得更冷静、更高效、更可靠。

得益于ST先进的DeepGATE和STripFET VII技术，它在10V驱动下导通电阻极低，能显著减少导通损耗，直接提升系统能效。同时，极低的栅极电荷让开关速度更快、损耗更小，特别适合高频工作场景。采用H2PAK-2封装，散热性能优异，安装便捷，助您轻松应对高功率密度设计的挑战。