STH80N10LF7-2AG - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STH80N10LF7-2AG技术参数详情：

当您需要一款能在严苛环境下稳定输出强劲动力的功率开关时，您会如何选择？答案或许就藏在STH80N10LF7-2AG这颗卓越的N沟道功率MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统效率、增强产品可靠性的关键引擎。源自意法半导体久经考验的STripFET技术和严格的汽车级AEC-Q101标准，这颗芯片从诞生之初就承载着应对高要求应用的使命，其100V的漏源电压和高达80A的连续漏极电流能力，为您的设计提供了坚实的功率基础。

想象一下，在电动汽车的电机驱动单元中，每一次精准的电流控制都关乎着驾驶的平顺与安全；在工业自动化设备的伺服驱动器里，高效的能量转换直接决定了生产线的节拍与能耗。这正是STH80N10LF7-2AG大展身手的舞台。其极低的导通电阻（典型值仅10毫欧@10V）意味着更少的导通损耗和发热，配合高达175°C的结温工作能力，即使在引擎舱旁或持续高负载的工业环境中，也能保持冷静与稳定，确保您的系统长时间无故障运行。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的心脏。

那么，为什么越来越多的工程师将目光投向STH80N10LF7-2AG？其核心价值在于卓越的性能与可靠性的完美平衡。它采用先进的H2PAK-2封装，不仅提供了优异的散热性能和功率密度，其表面贴装形式也简化了生产流程。更低的栅极电荷（Qg）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于提升开关电源和变频器的效率至关重要。当您追求极致的能效、紧凑的空间布局以及面对-55°C至175°C的宽温挑战时，这颗芯片都能成为您值得信赖的伙伴。通过与值得信赖的ST代理合作，您可以轻松获得这颗高品质芯片以及全面的技术支持，让您的创新想法更快、更稳地落地成真。

型号:STH80N10LF7-2AG
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:H2PAK-2
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28.3 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2900 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:110W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:H2PAK-2
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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您是否正在寻找一颗能同时驾驭高电流与高效率的功率开关？STH80N10LF7-2AG正是为您而来。这颗来自意法半导体的汽车级N沟道MOSFET，拥有100V耐压和高达80A的电流处理能力，其核心使命就是让您的电源管理、电机驱动或负载开关设计变得前所未有的高效与可靠。

它采用先进的STripFET技术，实现了极低的导通电阻（典型10毫欧），能显著减少导通损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。同时，其优化的栅极电荷和快速的开关特性，让您轻松实现高频高效的能量转换。无论是面对汽车引擎舱的酷热，还是工业设备的持续高压，其宽达-55°C至175°C的工作温度范围和坚固的H2PAK-2封装，都确保它能够稳定胜任，助您打造出性能卓越且寿命长久的终端产品。