STI10NM60N - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STI10NM60N技术参数详情：

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源转换方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一个能同时驾驭600V高压和10A电流的开关器件，却能将导通电阻控制在极低的水平，这不仅仅是参数的提升，更是系统性能的一次飞跃。现在，STI10NM60N的到来，正将这种想象变为触手可及的现实。

这颗源自ST意法半导体MDmesh II家族的N沟道功率MOSFET，天生就是为高效而生。它采用先进的超结技术，在600V的漏源电压下，导通电阻（RDS(on)）低至550毫欧，这意味着在相同的电流下，它能产生更少的热量，让您的电源模块运行得更凉爽、更持久。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断电系统(UPS)和照明镇流器，它都能轻松融入，成为提升整机效率的“心脏”。其高达70W的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了在最严苛的环境下也能稳定输出，让您的产品设计无惧挑战。

选择STI10NM60N，就是选择了一份经过市场验证的可靠与高效。其I2PAK（TO-262）通孔封装不仅提供了优异的散热性能，也便于在现有生产线上的焊接与安装。尽管该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用基础，使其成为特定存量项目升级或寻找高性价比替代方案的绝佳选择。为了确保您能获得正品货源和稳定的供应支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST代理商进行采购。这不仅仅是一颗MOSFET的选型，更是您为产品注入持久竞争力、赢得市场信赖的关键一步。让它为您的下一个设计，开启高效节能的新篇章。

型号:STI10NM60N
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-262（I2PAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:540 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:70W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
现在可以订购STI10NM60N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找那颗能让您的电源设计既强劲又高效的“核心开关”吗？STI10NM60N正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有600V的耐压和10A的连续电流处理能力，凭借其MDmesh II技术，它能显著降低导通损耗和开关损耗，让您的电源模块、电机驱动或UPS系统运行效率大幅提升，发热更少，寿命更长。

它具备低至550毫欧的导通电阻和优化的栅极电荷，让您能够轻松实现更高频率的开关操作，从而可以使用更小的磁性元件，助力打造更紧凑、更具成本效益的最终产品。其坚固的I2PAK封装和宽广的工作温度范围，确保了在各种应用环境中都能提供稳定可靠的性能，是您提升产品市场竞争力的得力助手。