STI14NM50N

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否还在为如何平衡高性能与系统成本而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场长期验证的卓越解决方案STI14NM50N。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其500V的耐压能力和12A的连续电流承载实力，早已成为众多工程师心中构建高效、坚固电源系统的基石。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品竞争力、赢得市场信赖的关键伙伴。

想象一下，在开关电源、电机驱动、不间断电源（UPS）乃至工业照明镇流器的核心电路中，STI14NM50N正默默发挥着中流砥柱的作用。它那低至320毫欧的导通电阻，意味着更低的导通损耗，直接转化为更低的温升和更高的整体效率，让您的设备在长时间运行中依然保持冷静与稳定。无论是面对严苛的工业环境，还是需要24小时不间断工作的关键设备，它都能凭借其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和高达90W的功率处理能力，提供令人安心的性能保障。

选择STI14NM50N，就是选择了一份经过时间淬炼的可靠。它所采用的MDmesh II技术，是ST在高压MOSFET领域的匠心之作，优化了开关特性与导通电阻的平衡。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的应用基础，使其在存量市场、特定项目升级或对成熟方案有极高要求的场景中，价值依然闪耀。当您需要获取这颗经典芯片或寻求专业的技术支持时，可以信赖专业的ST代理商，他们能为您提供可靠的货源与深入的应用指导。它坚固的I2PAK（TO-262）通孔封装，不仅散热性能优异，更便于在PCB上进行牢固的焊接，为您的产品生命周期注入持久的活力。让STI14NM50N成为您下一个成功设计的强大心脏，驱动创新，赢在未来。

• 型号:STI14NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 500V 12A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 现在可以订购STI14NM50N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效与可靠的功率开关吗？STI14NM50N正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有500V的坚固耐压和12A的强大电流通过能力，其核心的MDmesh II技术，让它在导通时阻抗极低（仅320毫欧@10V），显著减少能量损耗，直接帮助您提升系统整体效率，并有效控制发热。

它能让您的电源转换、电机控制等应用运行得更冷静、更持久。优异的栅极电荷特性确保了快速、干净的开关动作，让您的设计在动态响应和电磁干扰（EMI）控制上更具优势。无论是应对工业环境的严酷考验，还是满足对稳定性有苛刻要求的连续作业，STI14NM50N都能以卓越的性能，成为您电路中值得信赖的基石，助您轻松构建高效、稳健的电力核心。