STI19NM65N

在追求极致能效与可靠性的电力转换领域，您是否还在为开关损耗和系统稳定性而烦恼？现在，一颗集高性能与高性价比于一身的功率器件，将彻底改变您的设计体验。它就是来自ST意法半导体的STI19NM65N。这款采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，以其650V的高耐压和15.5A的连续电流能力，为您的电源和电机驱动应用注入了澎湃而稳定的动力源泉。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或太阳能逆变器等严苛的应用场景中，系统需要承受高电压、大电流的持续考验。STI19NM65N正是为此而生。它卓越的270毫欧超低导通电阻（Rds(on)），意味着在导通状态下更小的能量损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统效率。这不仅让您的产品运行更“冷静”，更能显著延长其使用寿命，在激烈的市场竞争中，为用户带来更低的运营成本和更可靠的使用体验。选择它，就是为您的产品选择了一颗强劲而高效的“心脏”。

为何众多工程师在同类产品中独独青睐STI19NM65N？答案在于其背后MDmesh II技术的深厚功底。这项技术优化了单元结构和工艺，在保持高击穿电压的同时，大幅降低了栅极电荷（Qg）和导通电阻。更低的Qg意味着开关速度更快，开关损耗更低，这对于高频开关电源提升效率至关重要。同时，其高达150°C的结温（TJ）和坚固的I2PAK通孔封装，确保了在恶劣环境下依然稳定工作，为您的设计提供了宽裕的安全余量和安装便利。当您需要可靠的原厂品质和稳定的供货支持时，请务必通过正规的ST授权代理进行采购，这是保障产品正宗与后续服务的关键一步。

总而言之，STI19NM65N不仅仅是一个参数出色的MOSFET，它更是提升您产品整体性能、可靠性与市场竞争力的战略选择。它将ST意法半导体的创新技术，转化为您手中实实在在的设计优势，助您在能效竞赛中脱颖而出，打造出更卓越、更受市场欢迎的电力电子设备。

• 制造商产品型号：STI19NM65N
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 650V 15.5A I2PAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh II
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：650V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：15.5A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：270 毫欧 @ 7.75A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：55nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1900pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：150W（Tc）
• 工作温度：150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I2PAK
• 现在可以订购STI19NM65N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时驾驭高电压与高效率的功率开关吗？STI19NM65N正是您的理想之选。这颗采用MDmesh II技术的650V N沟道MOSFET，能轻松处理高达15.5A的连续电流，其超低的导通电阻能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

它卓越的开关特性，包括优化的栅极电荷，有助于降低开关损耗，提升整体能效，特别适用于对效率有严苛要求的开关电源和变频驱动应用。坚固的I2PAK封装和宽工作温度范围，更能确保它在各种挑战性环境中稳定可靠地工作，让您的设计无后顾之忧。