STI20N65M5

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高功率与低损耗的“心脏”？答案就在STI20N65M5。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其650V的卓越耐压和18A的强大电流承载能力，为您的高压应用注入澎湃而稳定的动力。它不仅仅是参数的堆砌，更是MDmesh V系列尖端技术的结晶，旨在彻底革新您的能效体验。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或新能源充电桩的核心电路中，每一次开关都伴随着能量的损耗与热量的累积。STI20N65M5凭借其低至190毫欧的导通电阻，能显著减少导通损耗，让更多电能高效转化为有用功，而非令人头疼的废热。其优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关动作，这不仅提升了系统频率响应，更能有效降低电磁干扰（EMI），让您的产品轻松满足严苛的能效与安规标准。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，配合坚固的I2PAK（TO-262）封装，意味着它能在各种恶劣环境下稳定运行，为您的设备提供长久可靠的保障。

选择STI20N65M5，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。它让您无需在性能与成本之间艰难妥协，其出色的功率密度和能效表现，直接帮助您缩小产品体积、降低散热需求，从而优化整体系统成本。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，专业的ST芯片代理将是您坚实的后盾。立即将这颗高效能引擎纳入您的设计蓝图，它将不仅仅是电路板上的一个元件，更是您产品在市场竞争中脱颖而出的关键价值所在，助您打造出更强大、更节能、更可靠的下一代电源解决方案。

• 型号:STI20N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1434 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 现在可以订购STI20N65M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压开关电源的效率和温升问题烦恼吗？让STI20N65M5来为您分忧！这颗采用先进MDmesh V技术的650V/18A N沟道MOSFET，核心使命就是让您的设计更高效、更可靠。它极低的导通电阻能大幅减少功率损耗，而优化的动态参数则确保了快速平滑的开关，助您轻松提升系统能效并降低电磁干扰。

无论是工业电源、电机驱动还是光伏逆变器，STI20N65M5都能凭借其高达130W的功率处理能力和宽广的工作温度范围，成为您系统中坚不可摧的功率开关。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能核心，让复杂的高压功率转换变得简单而高效。