STI21NM60ND

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为功率转换系统的效率瓶颈而困扰？当每一瓦特的损耗都意味着成本的增加和竞争力的削弱，选择一款性能卓越的功率MOSFET至关重要。今天，我们向您隆重介绍意法半导体FDmesh II系列中的一颗明星产品STI21NM60ND。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统可靠性、降低整体能耗的得力助手。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源（UPS）的核心电路中，STI21NM60ND正以其600V的高压耐受能力和17A的连续电流承载能力，稳健地处理着能量的流动。其FDmesh II超结技术带来了革命性的低导通电阻，在10V驱动下仅220毫欧，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生。无论是面对频繁启停的电机控制，还是要求严苛的功率因数校正（PFC）电路，它都能游刃有余，确保系统在高温高负荷下依然稳定运行，将意外停机的风险降至最低。

为何众多工程师在面临关键选型时，会倾向于这款产品？答案在于其带来的综合价值远超一个简单的元件。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）显著降低了开关损耗，让您的开关电源工作在高频状态下也能保持高效，直接助力产品能效等级的提升。通孔I2PAK封装提供了优异的散热路径，结合高达140W的功率耗散能力，让热管理设计变得更加轻松。虽然该型号目前已停产，但其成熟的设计和久经考验的可靠性，使其在诸多现有产品和备件市场中依然拥有重要地位。当您需要获取这款经典器件或寻求替代技术支持时，可以咨询专业的ST代理商，他们能为您提供完整的供应链解决方案与专业服务。选择STI21NM60ND，就是选择了一份经过市场验证的性能承诺，为您的电力电子应用注入强劲而可靠的核心动力。

• 型号:STI21NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 现在可以订购STI21NM60ND，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在设计一款需要高效、可靠功率开关的电源或电机驱动方案吗？STI21NM60ND正是为您而来的解决方案。这颗采用先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和17A的连续电流能力，其核心优势在于极低的导通电阻（仅220毫欧@10V），能显著减少导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。

同时，其优化的栅极电荷和输入电容特性，让开关过程更加迅速高效，进一步降低开关损耗。无论是用于提升开关电源的功率密度，还是增强电机驱动的响应速度与可靠性，它都能让您轻松应对。高达150°C的结温和出色的散热封装设计，确保了它在严苛环境下的持久稳定，是您构建高效、坚固电力转换系统的理想基石。