STI24N60M2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STI24N60M2技术参数详情：

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗既能承受高压冲击，又能保持低温高效运行的“心脏”？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐意法半导体MDmesh II Plus家族的明星产品STI24N60M2。这颗采用先进技术打造的N沟道功率MOSFET，以其600V的卓越耐压能力和高达18A的连续漏极电流，为您的高要求应用注入澎湃而稳定的动力。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统能效、缩小体积并增强可靠性的关键所在。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或高功率LED照明驱动这些严苛的应用场景中，每一次开关都伴随着能量损耗与热量积聚。STI24N60M2正是为此而生。其MDmesh II Plus技术显著降低了导通电阻，在9A电流、10V驱动电压下，Rds(On)最大值仅为190毫欧，这意味着更低的传导损耗和更高的整体效率。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速、干净的开关行为，有效减少了开关损耗，让您的系统在频繁启停中依然保持冷静与高效，轻松应对-55°C至150°C的广阔工作温度范围。

选择STI24N60M2，就是选择了一份经得起时间考验的承诺。它源自全球半导体领导者ST意法半导体，品质与性能有口皆碑。其坚固的I2PAK（TO-262）通孔封装，提供了出色的散热能力和机械稳定性，确保在长期高负荷运行下功率耗散可达150W（Tc）。无论是为了提升现有产品的市场竞争力，还是为了开发下一代更绿色、更紧凑的电源方案，这颗芯片都能成为您最可靠的伙伴。如需获取官方正品与技术支援，敬请咨询授权ST代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。立即行动，让STI24N60M2为您的创新蓝图奠定坚实的能效基石！

型号:STI24N60M2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-262（I2PAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 18A I2PAK
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:150W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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还在为高压电源设计的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STI24N60M2为您带来颠覆性的改变！这颗来自ST意法半导体MDmesh II Plus系列的600V/18A N沟道MOSFET，是专为追求极致性能的工程师打造的能量控制核心。

它凭借先进的MDmesh II Plus技术，实现了极低的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg），能显著降低开关损耗和传导损耗。这意味着，在您的服务器电源、电机驱动或UPS系统中，它能帮助您轻松提升整体能效，减少热量产生，让设备运行更凉爽、更持久、更可靠。选择它，就是选择了一条通往更高功率密度和更强市场竞争力的捷径。