STI24NM65N

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重考验时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高压与高功率的“心脏”？答案就在STI24NM65N。这颗来自ST意法半导体MDmesh II家族的N沟道功率MOSFET，以其650V的卓越耐压和19A的强劲电流承载能力，为您的高要求应用注入澎湃而稳定的动力。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统能效、简化散热设计、确保长期稳定运行的战略性选择。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源(UPS)或高效开关电源(SMPS)的核心电路中，STI24NM65N正以其低至190毫欧的导通电阻（Rds(on)）最大限度地减少导通损耗，将更多电能转化为有效输出而非恼人的热量。其优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速、干净的开关动作，这不仅提升了整体频率响应，更能显著降低开关损耗，让您的系统在高效与低温间找到完美平衡。面对复杂的电磁环境，其坚固的设计和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）提供了令人安心的鲁棒性。

为何众多工程师在关键项目中信赖它？因为选型STI24NM65N意味着选择了经过市场验证的MDmesh II技术，该技术以其出色的品质因数（FOM）而闻名。它让您在应对650V高压母线时游刃有余，同时其通孔I2PAK封装兼顾了优异的功率处理能力和便于焊接的可靠性。虽然该型号目前已停产，但对于仍有稳定需求的存量项目或特定维护市场而言，其性能价值依然突出。如需获取相关库存或替代方案咨询，您可以联系专业的ST中国代理，他们能为您提供全面的技术支持和供应链服务。选择这样一颗芯片，就是为您的产品选择了经久耐用的卓越内核，让性能表现再无后顾之忧。

• 型号:STI24NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 19A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 现在可以订购STI24NM65N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任的功率开关吗？STI24NM65N正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有650V的漏源电压和19A的连续电流能力，核心优势在于其极低的导通电阻（典型值190毫欧），能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

得益于ST先进的MDmesh II技术，它在开关速度和损耗之间取得了优异平衡。较低的栅极电荷和输入电容让驱动设计更轻松，开关动作更迅捷，从而提升整体能效。无论是面对工业环境的严苛挑战，还是追求极致的能源转换效率，它都能让您的设计脱颖而出，可靠应对高功率应用的核心需求。