STI260N6F6

在追求极致能效与可靠性的电力转换领域，您是否还在为寻找一款能够同时驾驭高功率与高效率的开关器件而困扰？想象一下，一个核心元件，它不仅能承受高达120A的连续电流，更能将导通损耗降至惊人的3毫欧，这直接意味着更低的发热、更高的系统效率和更长的设备寿命。现在，这不再是想象，STI260N6F6正是为此而生的卓越解决方案。

源自ST意法半导体备受赞誉的STripFET VI和DeepGATE技术平台，这颗功率MOSFET天生就为严苛应用而准备。无论是服务器和数据中心里24小时不间断运行的冗余电源，还是工业自动化设备中驱动重型电机和电磁阀的电机驱动板，亦或是新能源领域如太阳能逆变器、车载充电机中的关键开关位置，它都能凭借75V的漏源电压和高达300W的功率处理能力，稳如磐石地担当起能量流通的核心枢纽。其宽广的-55°C至175°C结温工作范围，确保了从酷寒到炎热的极端环境下，性能始终如一，让您的产品无惧环境挑战，拓展更广阔的市场疆域。

选择STI260N6F6，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。尽管该型号已处于停产状态，但其卓越的性能参数极低的Rds(on)带来无可比拟的能效优势，优化的栅极电荷(Qg)与输入电容(Ciss)确保了快速开关与低驱动损耗的完美平衡使其在存量市场和高可靠性要求的延续设计中依然极具价值。通过值得信赖的ST授权代理渠道，您依然可以获取到原装正品，为您的经典产品或特殊应用续写稳定可靠的篇章。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、赢得客户信赖的坚实基石。

• 型号:STI260N6F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:183 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 现在可以订购STI260N6F6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在设计需要处理大电流、追求高效节能的电源或电机驱动方案吗？STI260N6F6 N沟道功率MOSFET就是您的得力助手。它拥有75V耐压和高达120A的电流承载能力，其核心魅力在于仅3毫欧的超低导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。

得益于ST先进的STripFET VI技术，这颗采用I2PAK封装的芯片在开关速度和导通损耗之间取得了优异平衡。它能让您轻松应对服务器电源、工业电机驱动、新能源转换器等应用中的高功率密度挑战，实现高效可靠的能量控制，是提升终端产品性能和可靠性的关键之选。