STI30NM60N - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STI30NM60N技术参数详情：

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款能在高压环境下稳定工作、同时兼顾出色开关特性的功率器件而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STI30NM60N。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压能力和高达25A的连续漏极电流，为您的工业级应用注入了强大的动力心脏。它不仅仅是一个组件，更是提升系统整体效率、确保长期稳定运行的关键所在。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源（UPS）系统中，能量转换的每一个环节都要求极高的可靠性与效率。STI30NM60N正是为此类严苛场景而生。它采用了先进的MDmesh II技术，这项技术显著优化了器件的动态特性，使得在高压开关过程中，导通损耗和开关损耗得到卓越平衡。这意味着，在您的变频器、焊接设备或太阳能逆变器中，它能以更低的温升和更高的频率稳定工作，直接转化为更长的设备寿命和更低的运营成本，让您的产品在竞争中脱颖而出。

选择STI30NM60N，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。其130毫欧的低导通电阻（在12.5A, 10V条件下）确保了在导通状态下极小的能量损耗，而优化的栅极电荷（Qg）则让驱动电路设计更为轻松，提升了系统的整体响应速度。尽管该型号已处于停产状态，但其卓越的性能和广泛的市场应用基础，使其成为库存优选或特定项目延续的可靠之选。为确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购，这不仅是品质的保障，更是项目顺利推进的坚实后盾。让STI30NM60N成为您下一个成功设计的强大引擎。

型号:STI30NM60N
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-262（I2PAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 12.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:190W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效冷静的功率开关吗？STI30NM60N正是您的理想选择。这颗采用MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和25A的强大电流处理能力，专为 demanding 的工业环境而设计。

它能为您做什么？核心在于其卓越的能效表现。低至130毫欧的导通电阻，意味着在导通时能量损耗极小，让您的电源或电机驱动系统运行得更“凉爽”、更高效。同时，优化的开关特性让您能轻松设计驱动电路，实现快速、平滑的开关动作，从而提升整体系统的功率密度和可靠性。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能核心。