STI33N60M2

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一款能在600V高压下稳定工作，同时将导通电阻降至极低的功率器件，将如何彻底改变您的产品性能与市场竞争力？答案就蕴藏在STI33N60M2这颗卓越的功率MOSFET之中。

作为ST意法半导体MDmesh II Plus家族的明星成员，它专为应对苛刻的高压、高频开关应用而生。其125毫欧的超低导通电阻（Rds(on)）意味着在导通状态下，电流流过时产生的热量被大幅削减，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速、干净的开关动作，显著降低了开关损耗，让您的电源设计在效率和功率密度上双双实现突破。无论面对的是工业电机驱动中瞬间的大电流冲击，还是服务器电源里要求严苛的能效标准，它都能游刃有余，提供稳定可靠的功率开关解决方案。

当我们将目光投向实际应用，STI33N60M2的价值便更加凸显。在光伏逆变器中，它帮助最大化太阳能板的能量转换效率；在不间断电源（UPS）和焊接设备里，它保障了持续稳定的功率输出与快速响应；在高效照明和消费类电子产品的电源适配器中，它助力实现更小巧、更凉爽、更安静的设计。其高达26A的连续漏极电流和190W的功率耗散能力，为工程师提供了充足的性能余量，让复杂的设计变得简单，让高可靠性的要求得以轻松满足。选择它，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的性能保障。

那么，为何众多领先企业将STI33N60M2作为其高压功率设计的首选？核心在于它完美平衡了性能、可靠性与成本。MDmesh II Plus技术带来了更优的品质因数（FOM），这意味着在相同的系统规格下，您能获得更低的综合损耗。其坚固的I2PAK（TO-262）通孔封装，不仅提供了优异的散热能力，也确保了在振动和温度循环环境下的长期可靠性。更重要的是，通过值得信赖的ST中国代理，您可以获得稳定的供货、专业的技术支持以及具有竞争力的价格，从而加速您的产品上市进程。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品价值、赢得市场先机的强大引擎。

• 型号:STI33N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1781 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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您是否正在寻找一颗能同时驾驭高压与高效率的功率开关核心？STI33N60M2正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh II Plus技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和26A的电流能力，其超低的125毫欧导通电阻能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它卓越的开关特性（低栅极电荷Qg）让您能够轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，提升功率密度。无论是用于工业变频器、UPS电源，还是光伏逆变器，它都能提供稳定可靠的性能，助您轻松应对能效挑战，打造出更具市场竞争力的产品。