STI34N65M5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STI34N65M5技术参数详情：

当您的电源设计面临效率瓶颈，或是在追求更高功率密度时感到束手束脚，您是否渴望一颗能同时兼顾高性能与可靠性的功率开关解决方案？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体MDmesh V系列中的明星产品STI34N65M5。这颗650V N沟道功率MOSFET，以其卓越的电气特性和坚固的物理结构，专为应对严苛的高压、高频应用挑战而生，旨在将您的系统性能推向新的高度。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)乃至新能源领域的充电模块中，功率转换的效率与稳定性直接决定了产品的市场竞争力。STI34N65M5正是为此类场景量身打造。其高达28A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，提供了充足的功率处理余量，确保系统在满载甚至过载情况下依然稳定运行。而MDmesh V第五代超结技术带来的核心优势极低的导通电阻（Rds(on)），意味着更少的导通损耗，直接转化为更低的温升和更高的整体能效，让您的产品在能效比拼中脱颖而出。

选择STI34N65M5，不仅仅是选择了一颗参数优秀的MOSFET，更是选择了一份经市场验证的可靠性与设计自由度。其优化的栅极电荷(Qg)与输入电容(Ciss)特性，显著降低了开关损耗，尤其适合高频开关应用，让您能够使用更小的磁性元件，从而实现更高的功率密度和更紧凑的产品设计。通孔I2PAKFP（TO-281）封装提供了出色的散热能力和机械强度，配合190W的强大功率耗散能力，轻松应对高温工作环境，大幅提升了系统的长期可靠性。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道与技术支持，我们的ST芯片代理团队随时准备为您提供从选型到量产的全方位服务。让STI34N65M5成为您下一代高性能电源与驱动设计的强大心脏，开启高效、可靠的电能转换新篇章。

型号:STI34N65M5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-281（I2PAKFP）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 650V 28A I2PAKFP
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:190W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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您是否正在寻找一颗能显著提升高压开关电源效率与可靠性的核心器件？STI34N65M5正是您期待的答案。这颗基于意法半导体先进MDmesh V技术的650V/28A N沟道MOSFET，通过其极低的110毫欧导通电阻，能大幅降低功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高，直接帮助您优化产品性能并降低运营成本。

它卓越的开关特性（低栅极电荷与输入电容）让您能够轻松实现更高频率的设计，从而减小变压器和滤波器的体积，助力打造更轻巧、功率密度更大的终端产品。无论是面对工业驱动、电源转换还是能源基础设施的挑战，STI34N65M5都能提供坚固耐用的通孔封装和宽泛的工作温度范围，确保您设计的长期稳定与可靠。