STI360N4F6

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为功率转换系统的损耗与散热问题而烦恼？想象一下，一个关键开关器件能将导通电阻降至惊人的1.8毫欧，在60A的大电流下依然保持冷静高效这正是STI360N4F6为您带来的颠覆性体验。这颗来自意法半导体Automotive系列的N沟道MOSFET，不仅仅是一个组件，更是您提升系统整体性能、迈向更高可靠性的战略支点。

它的身影活跃于众多要求严苛的领域。在新能源汽车的电机驱动与车载充电器中，STI360N4F6凭借其高达120A的连续漏极电流和40V的耐压能力，轻松应对频繁启停与能量回收带来的电流冲击，确保动力传输的澎湃与稳定。在工业电源和服务器电源模块里，其极低的Rds(on)特性直接转化为更少的导通损耗，意味着更低的温升和更高的能源利用效率，让您的设备在长时间高负载运行下依然可靠。即便是面对已经停产但需求持续存在的经典设计，选择由可靠的ST一级代理提供的正品库存，依然是保障生产连续性与产品一致性的明智之举。

那么，在众多功率器件中，为何STI360N4F6值得您的重点关注？答案在于其背后深厚的价值底蕴。它隶属于STripFET VI 和 DeepGATE技术家族，这些专有技术确保了在更小的芯片面积内实现优异的开关性能与鲁棒性。通孔I2PAK（TO-262）封装不仅提供了强大的散热能力，支持高达300W的功率耗散，也兼顾了生产的便利性与机械强度。从-55°C到175°C的广阔结温工作范围，加上符合AEC-Q101车规标准的质量背书，让它无惧环境挑战，从容应对从消费级到汽车级的各种可靠性考验。选择它，就是选择了一份经过市场验证的性能承诺与长期的价值回报。

• 型号:STI360N4F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:340 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:17930 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 现在可以订购STI360N4F6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的核心开关吗？STI360N4F6正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有40V耐压和高达120A的连续电流处理能力，其核心魅力在于仅1.8毫欧的超低导通电阻，能显著降低您在DC-DC转换、电机驱动或电源路径管理中的开关损耗，直接提升系统整体能效。

它采用坚固的I2PAK通孔封装，散热性能优异，让您无需为功率耗散过度担忧。结合意法半导体先进的STripFET VI技术，它在提供快速开关速度的同时，保持了出色的稳定性。无论是用于升级现有设计还是开发高可靠性的新项目，STI360N4F6都能让您的功率处理环节变得更高效、更从容。