STI400N4F6 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STI400N4F6技术参数详情：

在追求极致效率的电源与电机控制领域，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一款能够在高电流下保持超低导通电阻的功率开关，将如何彻底改变您的设计格局。今天，我们为您带来的STI400N4F6，正是这样一款能够将性能与可靠性推向新高度的N沟道功率MOSFET。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现能效突破的关键引擎。

当您面对服务器电源、高性能DC-DC转换器或大功率电机驱动等严苛应用时，STI400N4F6的优势将展露无遗。其高达120A的连续漏极电流承载能力和仅1.7毫欧的超低导通电阻，意味着在相同的功率输出下，由它产生的热量将大幅减少，系统整体效率显著提升。无论是驱动工业机械臂中的伺服电机，还是为数据中心的高密度计算单元提供稳定高效的电力转换，这颗芯片都能确保能量以最直接、最纯净的方式传递，让您的设备运行得更冷静、更持久。

选择STI400N4F6，就是选择了一份来自意法半导体尖端STripFET VI技术的承诺。其DeepGATE结构优化了电荷平衡，使得开关过程更快、更平滑，有效降低了开关损耗和电磁干扰。高达300W的功率耗散能力和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，赋予了它无与伦比的鲁棒性，即使在最恶劣的环境下也能稳定工作。对于寻求长期稳定供应与专业支持的工程师，通过值得信赖的ST代理商进行采购，不仅能确保获得原装正品，还能获得完整的技术链支持，让您的产品从设计到量产一路畅通。这不仅仅是一次元器件选型，更是一次为产品注入持久动力与卓越可靠性的战略决策。

型号:STI400N4F6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-262（I2PAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.7 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:377 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:20000 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:300W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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还在寻找那颗能扛起大电流、压降低、散热好的核心功率开关吗？STI400N4F6正是为您的高要求应用而生。它基于意法半导体先进的STripFET VI技术，拥有40V的耐压和高达120A的电流处理能力，而其导通电阻低至惊人的1.7毫欧，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

这颗芯片采用坚固的I2PAK（TO-262）封装，功率耗散能力达300W，工作结温范围宽至-55°C ~ 175°C，确保了极端环境下的卓越可靠性。无论是用于同步整流、电机控制还是大电流开关，STI400N4F6都能让您轻松应对高功率密度设计的挑战，提升整体系统性能与寿命。