STI4N62K3

当您需要一款能在高压环境中稳定运行，同时兼顾高效能与可靠性的功率开关时，您会如何选择？答案或许就藏在STI4N62K3这颗卓越的功率MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、优化系统效率的关键引擎。凭借其高达620V的漏源电压和3.8A的连续漏极电流能力，它为您的设计提供了坚实的动力基础，让您在面对严苛的电气环境时，拥有从容不迫的底气。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器项目中，STI4N62K3正扮演着核心的开关角色。它源自ST意法半导体备受赞誉的SuperMESH3技术家族，这意味着它天生就拥有极低的导通电阻（Rds(on)）和优化的栅极电荷（Qg）。在实际应用中，这直接转化为更低的导通损耗和更快的开关速度，让您的系统运行得更“冷静”，效率更高，从而有效降低整体能耗和散热需求。无论是工业自动化设备中的电机控制，还是消费类电子产品的电源适配器，它都能确保能量以最精准、最流畅的方式传递。

为什么众多工程师在众多选项中最终锁定了它？因为选择STI4N62K3，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。其坚固的I2PAK通孔封装确保了出色的机械强度和散热性能，配合-55°C至150°C的宽广工作结温范围，使其能够从容应对各种恶劣环境下的挑战。这意味着您的产品将获得更长的使用寿命和更高的可靠性。当您需要稳定可靠的供货和技术支持时，与一家资深的ST芯片代理合作，将能确保您顺畅地获取这颗优质芯片，并获得专业的选型与应用指导。它不仅仅是一个参数表上的型号，更是助力您的创意落地、产品成功的强大伙伴。

• 型号:STI4N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 3.8A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 1.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:550 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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还在为寻找一颗能兼顾高压、高效与可靠性的功率开关而烦恼吗？让STI4N62K3来为您解决难题！这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有620V的耐压和3.8A的电流处理能力，能轻松胜任开关电源、电机驱动等应用中的核心开关角色。

它的卓越之处在于，极低的导通电阻和优化的动态参数，能显著降低您的系统导通损耗和开关损耗，从而提升整体能效，让设备运行更“冷静”、更持久。坚固的I2PAK封装和宽广的工作温度范围，更为您的设计提供了坚实的可靠性保障，让您高效推进项目，无后顾之忧。