STI57N65M5

在追求极致能效与可靠性的高功率应用中，您是否还在为开关损耗和散热问题而困扰？想象一下，一款能够在650V高压下稳定输出42A电流，同时将导通电阻控制在极低水平的功率器件，将如何彻底改变您的电源设计？今天，我们向您隆重介绍意法半导体MDmesh V家族的明星产品STI57N65M5，它正是为解决这些核心挑战而生。

这款N沟道MOSFET凭借其先进的MDmesh V技术，实现了卓越的性能平衡。其低至63毫欧的导通电阻（Rds(on)），意味着在导通状态下，能量损耗被大幅削减，更多的电能被高效转化为有用功，而非令人头疼的热量。这不仅直接提升了系统整体效率，更能让您的散热设计变得更加从容，系统体积和成本得以优化。当它应用于服务器电源、工业电机驱动或新能源逆变器时，其650V的高耐压特性提供了充足的安全裕度，确保系统在复杂电网环境或负载突变时依然坚如磐石。而其高达250W的功率耗散能力，配合I2PAK（TO-262）封装优秀的散热特性，让持续大功率运行成为可能。

选择STI57N65M5，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与高性能。它不仅仅是一个参数出色的晶体管，更是您提升产品竞争力、实现能效升级的关键伙伴。其优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss），使得驱动设计更为简单高效，开关速度更快，进一步降低了开关损耗。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在严苛的工业与户外环境中也能稳定服役。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST代理商渠道，您依然可以获得有保障的库存或替代方案支持，确保项目供应链的连续性。让STI57N65M5成为您下一代高可靠性电源与驱动系统的强大心脏，释放前所未有的功率密度与效率潜能。

• 型号:STI57N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 42A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:63 毫欧 @ 21A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:98 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 现在可以订购STI57N65M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持冷静与高效的功率开关吗？STI57N65M5正是为此而来。这颗来自意法半导体MDmesh V系列的N沟道MOSFET，拥有650V的漏源击穿电压和42A的连续漏极电流能力，让您在设计服务器电源、UPS、太阳能逆变器或工业电机驱动时底气十足。

它的核心魅力在于极低的导通损耗。仅63毫欧的导通电阻（在21A，10V条件下），能显著减少导通状态下的热量产生，直接提升系统能效，让您的产品更节能、散热设计更轻松。同时，优化的动态参数有助于实现更快的开关速度，降低开关损耗，进一步提升整体效率。采用坚固的I2PAK通孔封装，确保了出色的功率耗散能力与长期可靠性，是您构建高效、紧凑、可靠功率系统的理想选择。