STI5N52U

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否还在为高压开关应用中的性能瓶颈而困扰？想象一下，当您的电源设计需要处理525V高压，同时要求快速响应与低损耗时，一颗强大的心脏至关重要。现在，答案来了STI5N52U，这颗源自ST意法半导体UltraFASTmesh家族的N沟道MOSFET，正是为突破此类挑战而生。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键引擎。

无论是工业级开关电源、高功率LED驱动，还是电机控制与功率因数校正（PFC）电路，STI5N52U都能游刃有余。其525V的漏源电压（Vdss）提供了充足的安全裕度，轻松应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰。而4.4A的连续漏极电流能力，结合低至1.5欧姆的导通电阻，意味着在传导过程中能量损耗被大幅降低，系统发热更少，整体效率显著提升。这直接转化为更凉爽的运行温度、更长的设备寿命以及更低的运营成本，让您的终端产品在市场中脱颖而出。

选择STI5N52U，就是选择了一份经过验证的卓越与安心。其采用的UltraFASTmesh技术确保了极快的开关速度，栅极电荷（Qg）最大值仅为16.9nC，这能有效降低开关损耗，特别适合高频工作场景，让您的电源设计可以更小巧、更高效。宽广的-55°C至150°C结温工作范围，赋予了它无与伦比的环境适应性，无论是严寒还是酷热，性能始终稳定如一。虽然该型号目前已停产，但通过可靠的ST授权代理渠道，您依然可以获取经过严格质量控制的库存，为现有产品的维护与升级提供坚实保障。这颗封装于坚固I2PAK中的功率器件，以其70W的强大功率耗散能力，正在静候您的召唤，助您将下一个电源设计构想变为现实。

• 型号:STI5N52U
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:529 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 现在可以订购STI5N52U，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起高压、高效开关重任的核心器件吗？STI5N52U正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有525V的高耐压和4.4A的电流处理能力，其先进的UltraFASTmesh技术让开关动作迅捷无比，能显著降低开关损耗，提升整体能效。

它能让您的电源设计，如SMPS、PFC或电机驱动，运行得更凉爽、更可靠。低至1.5欧姆的导通电阻意味着更少的能量以热量形式浪费，而宽泛的工作温度范围则确保了它在各种严苛环境下都能稳定输出。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏。