STI6N62K3

在追求极致能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为寻找一颗能在高压环境下稳定工作、同时兼顾出色开关性能的功率开关而反复权衡？现在，答案已经揭晓。我们隆重向您推荐意法半导体SuperMESH3家族的明星成员STI6N62K3。这颗N沟道MOSFET以其高达620V的漏源电压和5.5A的连续漏极电流，为您的高压应用筑起一道坚固的防线，让您的设计在复杂工况下依然从容不迫，释放前所未有的性能潜力。

想象一下，在开关电源、电机驱动、工业照明或是UPS不间断电源系统中，每一次开关动作都要求精准、迅捷且损耗最低。STI6N62K3正是为此而生。它采用了先进的SuperMESH3技术，在10V驱动电压下，导通电阻低至1.2欧姆，这意味着更低的传导损耗和发热量，直接转化为更高的系统效率和更长的产品寿命。其极低的栅极电荷（仅34nC）和输入电容，确保了超快的开关速度，让您的电源拓扑能够轻松工作在更高频率，从而缩小磁性元件的体积，实现系统整体的小型化和轻量化。无论是面对严苛的工业环境（工作温度范围-55°C至150°C），还是需要长期稳定运行的消费类产品，它都能凭借高达90W的功率耗散能力，提供持久可靠的能量控制。

选择STI6N62K3，您选择的不仅仅是一个高性能的电子元件，更是一份对卓越品质和稳定供应的承诺。虽然该型号已进入停产状态，但通过我们信赖的ST代理合作伙伴，您依然可以获取可靠的库存和专业的技术支持，确保您的既有产品线维护或特定项目需求得到无缝衔接。其经典的I2PAK通孔封装，兼顾了优异的散热性能和焊接可靠性，让您的生产组装过程高效而省心。让STI6N62K3成为您下一个成功设计的强大心脏，它将用卓越的电气特性和久经考验的可靠性，助您轻松驾驭高压功率领域，创造出更具市场竞争力的高效能产品。

• 型号:STI6N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 5.5A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:875 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 现在可以订购STI6N62K3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压电路中的开关损耗和发热问题烦恼吗？让意法半导体的STI6N62K3为您带来变革性的解决方案！这颗基于SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，是专为高效能、高可靠性应用而生的功率开关利器。

它拥有620V的高耐压和5.5A的电流处理能力，能轻松应对开关电源、电机控制等高压场景。其核心价值在于极低的导通电阻（1.2Ω）和栅极电荷（34nC），这意味着它能大幅降低开关和传导损耗，让您的系统运行更凉爽、效率更高，同时快速的开关特性让您能优化设计频率。坚固的I2PAK封装和宽广的工作温度范围，确保它在各种环境下都能稳定输出高达90W的功率，是您打造耐用、高效产品的理想选择。